Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte
Modell:
Paket:
V:
A:
AUSGEWÄHLTE PRODUKTLINIEN:

Alle Produkte

Bild Modell Paket V A Datenblatt Details Anfrage In den Warenkorb legen
10A 45V SchottkyBarrierDiode MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45V 10A Weitere Informationen zur MBR1045CT-Serie finden Sie hier.pdf
19 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Gerätespezifikation DH300N08.pdf
61 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Gerätespezifikation DH16N06.pdf
10 A 700 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700V 10A 英文版F10N70术规格书REV1.0.pdf
-30A -60V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
240 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Gerätespezifikation DHS025N10.pdf
16A 400V Fast-Recovery-Diode MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400V 16A 英文版MUR1640CT术规格书REV1.0.pdf
7A 700V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C und TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
300 A 40 V N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS010N04U TOLL-PAKET DHS010N04U MAUT 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
210 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60V 180A Spezifikation des Geräts N6005B40.pdf
Epitaktischer Siliziumtransistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
30 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60V 30A Gerätespezifikation DHZ24B31.pdf
6A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
30A 650V Trenchstop Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 TO-220F 650V 30A DGF30F65M2__Datenblatt.pdf
18 A 100 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Gerät DH100P18 B79 Specification.pdf
17A 650V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17A Gerätespezifikation DHSJ17N65.pdf
60A 300V Fast-Recovery-Diode MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS TO-3PN 300V 60A Weitere Informationen finden Sie unter MUR6030NCS.pdf
10A 45V Schottky-Diode MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45V 10A Weitere Informationen zur MBR1045CT-Serie finden Sie hier.pdf

Produktvideo

  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten