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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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80 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80A Gerät+DATD063N06N+Spezifikation Rev.1.0.pdf
50A 650V Halbbrückenmodul IGBT-Modul DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
90 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Gerätespezifikation DHS110N15 Rev.1.0.pdf
25 A 100 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Gerätespezifikation DH100P25.pdf
100 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18 A 100 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Gerät DH100P18 B79 Specification.pdf
47 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Gerätespezifikation DHS180N10L.pdf
150A 1200V Halbbrückenmodul DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V Halbbrückenmodul IGBTModule DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
 SiC-Schottky-Barrierediode 10 A 650 V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Gerätespezifikation DCE10D65G4.pdf
 N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 145 A 60 V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Gerätespezifikation DH045N06.pdf
50A 1200V PIM in einem IGBT-Modul DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
60 A 20 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH048N02B/DH048N02D
21 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
60A 200V Fast-Recovery-Diode MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A 英文版MUR6020BCA术规格书Rev. 1.1.pdf
100A 1700V Halbbrücken-IGBT-Modul DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90 A 40 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Gerätespezifikation DH045N04.pdf
13A 650V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650V 13A Gerätespezifikation DHSJ13N65.pdf
4,8 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Spannungsregler-IC mit drei Anschlüssen L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15V 8mA 英文版L78XX术规格书.pdf

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