未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
10A 45V SchottkyBarrierDiode MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45V 10A 英文版 série MBR1045CT技术规格书.pdf
19A 80V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Specifikace zařízení DH300N08.pdf
61A 60V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Specifikace zařízení DH16N06.pdf
10A 700V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F10N70 TO-220F F10N70 TO-220F 700V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
-30A -60V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
240A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Specifikace zařízení DHS025N10.pdf
16A 400V Dioda rychlé obnovy MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
7A 700V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
120A 80V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C &TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
300A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS010N04U TOLL BALÍČEK DHS010N04U MÝTNÉ 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
210A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60V 180A Specifikace zařízení N6005B40.pdf
Epitaxní silikonový tranzistor NPN 13003G5 TO-126 13003G5
30A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60V 30A Specifikace zařízení DHZ24B31.pdf
6A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
30A 650V Trenchstop Izolovaná brána Bipolární tranzistor DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 TO-220F 650V 30A DGF30F65M2__datasheet.pdf
18A 100V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
17A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17A Specifikace zařízení DHSJ17N65.pdf
60A 300V Dioda rychlého obnovení MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS TO-3PN 300V 60A 英文版MUR6030NCS技术规格书.pdf
10A 45V Schottkyho bariérová dioda MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45V 10A 英文版 série MBR1045CT技术规格书.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com