brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
80A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80A Zařízení+DATD063N06N+Specifikace Rev.1.0.pdf
50A 650V Modul polovičního můstku IGBT modul DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Specifikace zařízení DHS110N15 Rev.1.0.pdf
25A 100V P-kanál v režimu vylepšení napájení MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Specifikace zařízení DH100P25.pdf
100A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V P-kanál v režimu vylepšení výkonu MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Zařízení DH100P18 B79 Specifikace.pdf
47A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Specifikace zařízení DHS180N10L.pdf
150A 1200V Modul polovičního můstku DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
 SiC Schottkyho bariérová dioda 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Specifikace zařízení DCE10D65G4.pdf
 N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Specifikace zařízení DH045N06.pdf
50A 1200V PIM v jednom balení IGBT modul DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
60A 20V N-kanálový režim Enhancement Power MOSFET DH048N02B/DH048N02D
Výkonový MOSFET 21A 100V N-channel Enhancement Mode DHS400N10LD / DHS400N10LB / DHS400N10L
60A 200V Dioda rychlé obnovy MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
100A 1700V Polomůstek IGBT modul DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Specifikace zařízení DH045N04.pdf
13A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650V 13A Specifikace zařízení DHSJ13N65.pdf
4,8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Třísvorkový regulátor napětí IC L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Video o produktu

  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky