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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 80A 60V DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80A Appareil+DATD063N06N+Spécification Rev.1.0.pdf
Module demi-pont 50A 650V, module IGBT DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 90A 150V DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Appareil DHS110N15 Spécification Rev.1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal P 25A 100V DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Spécifications de l'appareil DH100P25.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 100A 60V DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60V 100A DH066N06D_Fiche technique_V2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal P 18A 100V DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Spécification de l'appareil DH100P18 B79.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 47A 100V TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Spécifications de l'appareil DHS180N10L.pdf
Module demi-pont 150A 1200V DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
Module demi-pont 250A 1200V IGBTModule DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
Diode barrière SiC Schottky 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Spécifications de l'appareil DCE10D65G4.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Spécification de l'appareil DH045N06.pdf
Module IGBT 50A 1200V PIM dans un seul boîtier DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Écono PIM2 1200V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 60 A 20 V DH048N02B/DH048N02D
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 21 A 100 V DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
Diode de récupération rapide 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A Le modèle MUR6020BCA est Rev. 1.1.pdf
Module IGBT demi-pont 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 90A 40V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Spécification de l'appareil DH045N04.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 13A 650V DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650V 13A Spécification de l'appareil DHSJ13N65.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N, 4,8 a, 650V, DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

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