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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 60A 68V DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68V 60A Spécification de l'appareil 50N06B34.pdf
G50N120D
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 108A, 85V, DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85V 108A DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 120A 90V DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90V 120A Spécifications de l'appareil DH90N055R.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 100A 30V DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A Spécification de l'appareil DH033N03 (1).pdf
100 V/5,2 mΩ/95 A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100V 95A DSP070N10L3A_Fiche technique_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200V 110A DSG108N20NA_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 96A 100V DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100V 96A Appareil DSP051N10N Spécification Rev.1.0.pdf
Mode d'amélioration du canal P 10A 30V, MOSFET de puissance DH160P03V SOP-8 DH160P03V SOP-8 30V 10A Spécifications de l'appareil DH160P03V Rev.1.0.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 50A 650V DGC50F65M2 TO-247 DGC50F65M2 TO-247 650V 50A _fiche technique.pdf
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Diode de récupération rapide à récupération ultra-rapide, 60A, 300V, MUR60FU30CS TO-3PN MUR60FU30DCS TO-3PN 300V 60A
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DGA75H65M2T

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