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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 19A 80V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80V 19A Spécifications de l'appareil DH300N08.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60V 61A Spécification de l'appareil DH16N06.pdf
MOSFET de puissance F10N70 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N, 10A 700V F10N70 TO-220F 700V 10A Fichier F10N70技术规格书REV1.0.pdf
-30A -60V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 240A, 100V, DHS025N10 TO-220C DHS025N10 TO-220C 100V 240A Spécification de l'appareil DHS025N10.pdf
Diode de récupération rapide 16A 400V MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400V 16A Description du produitMUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 7A 700V F7N70 TO-220F F7N70 TO-220F 700V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET de puissance, Mode d'amélioration du canal N, 120A, 80V, DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C et TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diode SchottkyBarrier 20A 100V MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 300 A 40 V DHS010N04U DHS010N04U SONNER 40V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N, 210 A, 60 V, N6005/FN6005/EN6005 N6005 TO-220C 60V 180A Spécification de l'appareil N6005B40.pdf
Transistor épitaxial en silicium NPN 13003G5 TO-126 13003G5
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 30A 60V DHZ24 TO-220C DHZ24 TO-220C 60V 30A Spécification de l'appareil DHZ24B31.pdf
Diode barrière Schottky SiC 6A 650V DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 30A 650V DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 TO-220F 650V 30A DGF30F65M2__fiche technique.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal P 18A 100V DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100V 18A Spécification de l'appareil DH100P18 B79.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 17A 650V DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650V 17A Spécification de l'appareil DHSJ17N65.pdf
Diode de récupération rapide 60A 300V MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS TO-3PN 300V 60A Description du produit MUR6030NCS.pdf
Diode barrière Schottky 10A 45V MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45V 10A Description de la série MBR1045CT.pdf

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