未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
80A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80A Laite+DATD063N06N+Specification Rev.1.0.pdf
50A 650V puolisiltamoduuli IGBT-moduuli DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650V 50A DGA50H65M2T.pdf
90A 150V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 -220C 150V 90A Laite DHS110N15 Specification Rev.1.0.pdf
25A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100V -25A Laite DH100P25 Specification.pdf
100A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 -220C 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
18A 100V P-kanavan parannustilan teho MOSFET DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100V 18A Laite DH100P18 B79 Specification.pdf
47A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET TO-220C DHS180N10L -220C 100V 47A Laitteen DHS180N10L Specification.pdf
150A 1200V puolisiltamoduuli DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
250A 1200V puolisiltamoduuli IGBTMmoduli DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 mm 1200V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
SiC Schottky Barrier Diodi 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Laitteen DCE10D65G4 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 -220C 60V 145A Laite DH045N06 Specification.pdf
50A 1200V PIM yhdessä paketissa IGBT-moduuli DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T Econo PIM2 1200V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
60A 20V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH048N02B/DH048N02D
21A 100V N-kanavainen lisälaitetila Power MOSFET DHS400N10LD / DHS400N10LB / DHS400N10L
60A 200V nopea palautusdiodi MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
100A 1700V puolisilta IGBT-moduuli DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Laite DH045N04 Specification.pdf
13A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 -220C 650V 13A Laite DHSJ13N65 Specification.pdf
4.8A 650V N-kanavainen Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4.8A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Kolminapainen jännitesäädin IC L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com