未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

Kaikki tuotteet

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
20A 200V LOW VF SchottkyBarrierDiodi MBR20R200CT TO-220C MBR20R200CT -220C 200V 20A 英文版MBR20R200CT技术规格书.pdf
80A 40V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80A Laite DH065N04 Specification.pdf
75A 1200V pysähdyseristetty kaksinapainen porttitransistori DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200V 75A DGC75F120M2__datasheet-V1.2.pdf
12A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60V 12A Laitteen D12N06 Specification(TO-252B).pdf
240A 85V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS020N88U TOLL-paketti DHS020N88U TOLL 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
175A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 -220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
15A 40V P-kanavan parannustilan teho MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4A 700 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
7A 800 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
4A 650 V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650V 4A 英文版F4N65技术规格书MAXREV1.0.pdf
120A 1200V N-kanavainen SIC Power MOSFET DCC016M120G2 / DCCF016M120G2 DCC016M120G2 TO-247 1200V 120A Donghai_DCC016M120G2&DCCF016M120G2_Datasheet_V1.0.pdf
205A 85V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Laite DHS025N88 Specification.pdf
25A 1700V SiC Schottky Barrier Diodi DCCT25D170G1 TO-247-2L 1700V 25A Laitteen DCCT25D170G1 Specification.pdf
18A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F18N65 TO-220F F18N65 TO-220F 650V 18A 英文版F18N65技术规格书REV1.0.pdf
155A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH035N04 TO-220C DH035N04 -220C 40V 155A Laite DH035N04 Specification.pdf
POSITIIVINEN JÄNNESÄÄTIMET 78L12 SOT-23 78L12 SOT-23 12V 2mA 英文版78LXX技术规格书（78L系列）.pdf
40mΩ 650V N-kanavainen SiC Power MOSFET DCCF040M65G2 TO-247-4L DCCF040M65G2 TO-247-4L 650V 52A Donghai_DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
N-kanavainen Super Junction Power MOSFET 7A 650V DHDSJ7N65 TO-252B DHDSJ7N65 TO-252B 650V 7A Laitteen DHDSJ7N65&DHBSJ7N65 Specification.doc.pdf
10A 650V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET F10N65 TO-220F F10N65 TO-220F 650V 10A 英文版F10N65技术规格书REV1.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com