18A 650 V N-kanavan parannusmoodi MOSFET F18N65 TO-220F

Nämä N-kanavainen parannetut VDMOSFET: t saavat itse kohdistuneella tasomaisella tekniikalla, joka vähentää johtamishäviötä, parantaa kytkentä suorituskykyä ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka sopii ROHS -standardiin.

Saatavuus:

Määrä:



Tiedustella Lisää koriin

Malli:
F18N65
Merkki:
WXDH
Paketti:
TO-220F
Tietotapa:
英文版 F18N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
V:
650 V
V:
18a

18A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet

1 Kuvaus

Nämä N-kanavainen parannetut VDMOSFET: t saavat itse kohdistuneella tasomaisella tekniikalla, joka vähentää johtamishäviötä, parantaa kytkentä suorituskykyä ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka sopii ROHS -standardiin. TO-220F tarjoaa eristysjännitteen, jonka nimellisarvo on 2000 V RMS kaikista kolmesta liittimestä ulkoiseen jäähdytyselementtiin. TO220F-sarja noudattaa UL-standardeja (tiedostoviite: E252906).

2 ominaisuutta

● Nopea kytkentä

● ESD parannettu kyky

● Matala vastus (rdson≤0,55Ω)

● Matala portin varaus (TYP: 58NC)

● Matala käänteinen siirtokapasitions (TYP: 20PF)

● 100% yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100% AVDD -testi

3 sovellusta

● Käytetään erilaisissa virrankytkentäpiirissä järjestelmän miniaturisointiin ja suurempaan tehokkuuteen.

● Elektronien liitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkin.

VDSS	RDS (ON) （TYP)	Henkilöllisyystodistus
650 V	0,42Ω	18a

Edellinen:

Seuraava:

Mosfet