ຮູບແບບການປັບປຸງປີ 18A 650V N-channel Mode Power Power Mosfet F1FET F1S8N65 ເຖິງ 220F

ຮູບແບບການປັບປຸງ MO-Channel-Channel-channel-channel-channel is Mosfet

1

ນີ້ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ VDMOsfets ທີ່ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຢີຂອງແຜນທີ່ຂອງຕົວເອງເຊິ່ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການເຮັດວຽກ, ປັບປຸງການປ່ຽນແປງຂອງການເຮັດວຽກແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ Rohs. ເຖິງ 220F ໃຫ້ການໃຫ້ຄະແນນແຮງດັນສະຫມອງຢູ່ທີ່ 2000V rms ຈາກທັງສາມສະຖານີສໍາລັບ heatsink ພາຍນອກ. ຊຸດ TO-220F ປະຕິບັດຕາມມາດຕະຖານ UL (ເອກະສານອ້າງອີງ: e252906). 

2 ລັກສະນະ 

●ສະຫຼັບໄວ 

● Esd ປັບປຸງຄວາມສາມາດ 

●ຕ່ໍາໃນການຕໍ່ຕ້ານ (ສະຫນາມແຂ່ງຂັນ.≤5ω) 

●ຄ່າບໍລິການທີ່ຕ່ໍາ (ປະເພດ: 58NC) 

●ມີການໂອນເງິນທີ່ມີການໂອນເງິນຫນ້ອຍລົງ (ປະເພດ: 20 ໂມງແລງ) 

● 100% SLULE ALALANCHE PURANCECE PORTALLECE

● 100% ການທົດສອບδvds

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

●ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບລະບົບ miniaturization ແລະປະສິດທິພາບສູງ. 

●ວົງຈອນສະຫຼັບໄຟຟ້າຂອງ Electron Ballast ແລະ Adapter.