ความพร้อม: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
F18N65
wxdh
ถึง 220F
650V
18A
18A 650V N-Channel Mode Power Power MOSFET
1 คำอธิบาย
N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS TO-220F ให้แรงดันฉนวนที่ได้รับการจัดอันดับที่ 2000V RMS จากเทอร์มินัลทั้งสามไปยังฮีทซิงค์ภายนอก TO-220F ซีรี่ส์สอดคล้องกับมาตรฐาน UL (อ้างอิงไฟล์: E252906)
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD
●ความต้านทานต่ำ (rdson≤0.55Ω)
●ประจุเกตต่ำ (ประเภท: 58NC)
●ความสามารถในการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 20pf)
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น
●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
650V | 0.42Ω | 18A |
18A 650V N-Channel Mode Power Power MOSFET
1 คำอธิบาย
N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS TO-220F ให้แรงดันฉนวนที่ได้รับการจัดอันดับที่ 2000V RMS จากเทอร์มินัลทั้งสามไปยังฮีทซิงค์ภายนอก TO-220F ซีรี่ส์สอดคล้องกับมาตรฐาน UL (อ้างอิงไฟล์: E252906)
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD
●ความต้านทานต่ำ (rdson≤0.55Ω)
●ประจุเกตต่ำ (ประเภท: 58NC)
●ความสามารถในการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 20pf)
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น
●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
650V | 0.42Ω | 18A |