18A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET
1 Description
Haec N-canale vdmosfets aucta, a technologia plani auto-aligna fit quae damnum conductionis minuit, emendare mutandi effectum et NIVIS energiam augere. Quod congruit cum RoHS vexillum. TO-220F praebet intentionem insulationem in 2000V RMS aestimatam ab omnibus tribus terminalibus calorum externorum. TO-220F series cum UL signis observare (File ref:E252906).
2 Features
Fast commutatione
ESD melius facultatem
● Minimum resistente (Rdson≤0.55Ω)
Praefectum portae Minimum (Typ: 58nC)
Minimum contra capacitates translationis (Typ: 20pF)
C% unius pulsus NIVIS industria test
C% VDS test
III Applications
● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum.
● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 650V |
0.42Ω |
18A |