18A 650V N-Channel Mode Enhancement Power MOSFET F18N65 TO-220F

18A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Penerangan

Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS. TO-220F menyediakan voltan penebat yang dinilai pada 2000V RMS dari ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran. Siri TO-220F mematuhi piawaian UL (File Ref: E252906). 

2 ciri 

● Pertukaran cepat 

● Keupayaan ESD yang lebih baik 

● Rendah pada rintangan (RDSON≤0.55Ω) 

● Caj Gate Rendah (typ: 58nc) 

● Kapasiti pemindahan terbalik rendah (typ: 20pf) 

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%

● Ujian 100% Δvds

3 aplikasi 

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi. 

● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.