18a 650V N-ալիքի բարելավման ռեժիմ MOSFET F18N65- 220F

Այս N- հեռուստաընկերությունը բարելավված VDMosfets, ստացվում է ինքնահավասարեցած պլանի տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է անցկացման կորուստը, բարելավում է փոխարկումը կատարումը եւ բարձրացնում է ավալանշի էներգիան: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին:

Առկայություն.

Քանակ:



Հարցաքննել Ավելացնել զամբյուղ

Մոդել:
F18N65
Ապրանքանիշը
Wxdh
Փաթեթ.
Մինչեւ 220F
DataSheet:
英文版 F18N65 技术规格书 Rev1.0.pdf
V:
650V
Ա.
18 ա

18a 650V N-ալիքի ուժեղացման ռեժիմ Power Mosfet

1 Նկարագրություն

Այս N- հեռուստաընկերությունը բարելավված VDMosfets, ստացվում է ինքնահավասարեցած պլանի տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է անցկացման կորուստը, բարելավում է փոխարկումը կատարումը եւ բարձրացնում է ավալանշի էներգիան: Որը համաձայնեցնում է RoHS ստանդարտին: Մինչեւ 220F- ը տրամադրում է մեկուսացման լարման, 2000V RMS բոլոր երեք տերմինալներից մինչեւ արտաքին heartsink: To-220F շարքը համապատասխանում է UL ստանդարտներին (FILE REF. E252906):

2 առանձնահատկություններ

● արագ անցում

● ESD բարելավված կարողություն

Resistance Resistance (Rdson≤0.55ω)

● ցածր դարպասի գանձում (մուտք, 58NC)

● Հակադարձ փոխակերպման ցածր հզորություններ (մուտք, 20 հատ)

● 100% միայնակ զարկերակային ավալանշի էներգիայի թեստ

● 100% δvds թեստ

3 դիմում

● Օգտագործվում է տարբեր էլեկտրական անջատման միացում համակարգի մանրանկարչության եւ ավելի բարձր արդյունավետության համար:

● Էլեկտրոնային բալաստի եւ ադապտերի էլեկտրական անջատիչ միացում:

VDSS	RDS (ON) (TYP)	Id
650V	0.42ω	18 ա

Նախորդը:

Հաջորդը.

Մոգած