4A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power MOSFET F4N65 TO-220F

4A 650 V N-kanavan parannusmoodi Power Mosfet

1 Kuvaus

Nämä N-kanavainen parannetut VDMOSFET: t saavat itse kohdistuneella tasomaisella tekniikalla, joka vähentää johtamishäviötä, parantaa kytkentä suorituskykyä ja parantaa lumivyöryenergiaa. Joka sopii ROHS -standardiin. TO-220F tarjoaa eristysjännitteen, jonka nimellisarvo on 2000 V RMS kaikista kolmesta liittimestä ulkoiseen jäähdytyselementtiin. TO220F-sarja noudattaa UL-standardeja (tiedostoviite: E252906). 

2 ominaisuutta

● Nopea kytkentä 

● ESD parannettu kyky 

● Matala vastus (rdson≤2,8Ω)

● Matala portin varaus (TYP: 14.5NC) 

● Matala käänteinen siirtokapasitions (TYP: 3,5pf) 

● 100% yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100% AVDD -testi 

3 sovellusta 

● Käytetään erilaisissa virrankytkentäpiirissä järjestelmän miniaturisointiin ja suurempaan tehokkuuteen. 

● Elektronien liitäntälaitteen ja sovittimen virtakytkin.