4A 650V N- ឆានែលអាណាចក្រថាមពលថាមពល Mosfet F4N65 ទៅ -220f

4A 650V N- ឆានែលអាណាចក្រថាមពលថាមពល MOSFET

ការពិពណ៌នាសង្ខេប 1

ឆានែល N ដែលបានធ្វើឱ្យប្រសើរឡើង vdmosfets ត្រូវបានទទួលដោយបច្ចេកវិទ្យានៃផែនការដែលបានតម្រឹមដោយខ្លួនឯងដែលកាត់បន្ថយការបាត់បង់ការផ្លាស� 

លក្ខណៈពិសេស 2

●កុងតាក់លឿន 

●សមត្ថភាពប្រសើរឡើង 

●ភាពធន់ទ្រាំទាប (RDSON≤2.8ω)

ការសាកសមហេតុសមផលទាប (វាយ: 14.5NC) 

●ឧបករណ៍ផ្ទេរបញ្ច្រាសទាប (វាយ) 

Disction ការធ្វើតេស្តិ៍ថាមពលរបស់ avalanche avalanche 100% 

ការធ្វើតេស្ត 100% δvdsសាកល្បង 

ពាក្យសុំ 3 

●ប្រើក្នុងសៀគ្វីប្តូរថាមពលផ្សេងៗសម្រាប់ប្រព័ន្ធខ្នាតតូចប្រព័ន្ធនិងប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់។ 

accument Screen Sitving Scirucuit របស់អេឡិចត្រូនិចនិងអាដាប់ទ័រ។

VDDs	RDS (ON) (វាយ)	សយរកាត់ក្ដី
650 វ៉ូ	2.4ω	អមរិយយ