4A 650V N-CHANNEL ENGANCEMENT MODE POWER MOSFET F4N65 TO-220F

4A 650V एन-चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर MOSFET

1 विवरण

ये एन-चैनल ने VDMOSFETS को बढ़ाया, स्व-संरेखित प्लानर तकनीक द्वारा प्राप्त किया जाता है जो चालन हानि को कम करते हैं, स्विचिंग प्रदर्शन में सुधार करते हैं और हिमस्खलन ऊर्जा को बढ़ाते हैं। जो ROHS मानक के साथ है। To-220F सभी तीन टर्मिनलों से बाहरी हीटसिंक तक 2000V RMS पर रेटेड इन्सुलेशन वोल्टेज प्रदान करता है। TO-220F श्रृंखला UL मानकों का अनुपालन करती है (फ़ाइल Ref: E252906)। 

2 विशेषताएं

● फास्ट स्विचिंग 

● ESD बेहतर क्षमता 

● प्रतिरोध पर कम (rdson002.8))

● कम गेट चार्ज (टाइप: 14.5NC) 

● कम रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस (टाइप: 3.5pf) 

● 100% सिंगल पल्स हिमस्खलन ऊर्जा परीक्षण 

● 100% testvds परीक्षण 

3 आवेदन 

● सिस्टम लघु और उच्च दक्षता के लिए विभिन्न पावर स्विचिंग सर्किट में उपयोग किया जाता है। 

● इलेक्ट्रॉन गिट्टी और एडाप्टर का पावर स्विच सर्किट।