4A 650V N-kanaalverbeteringsmodus Krag MOSFET F4N65 TO-220F

4A 650V N-kanaal Verbeteringsmodus Krag MOSFET

1 Beskrywing

Hierdie N-kanaal verbeterde vdmosfets, word verkry deur die self-belynde planêre tegnologie wat die geleidingsverlies verminder, skakelwerkverrigting verbeter en die stortvloed energie verbeter. Wat ooreenstem met die RoHS-standaard. TO-220F verskaf isolasiespanning gegradeer teen 2000V RMS vanaf al drie terminale na eksterne heatsink. TO-220F-reeks voldoen aan UL-standaarde (Lêerverwysing: E252906). 

2 Kenmerke

● Vinnige oorskakeling 

● ESD verbeterde vermoë 

● Laag op weerstand (Rdson≤2.8Ω)

● Lae heklading (tipe: 14.5nC) 

● Lae omgekeerde oordragkapasitansies (tipe: 3,5pF) 

● 100% enkelpuls stortvloed energie toets 

● 100% ΔVDS-toets 

3 Toepassings 

● Word gebruik in verskeie kragskakelkringe vir stelselminiaturisering en hoër doeltreffendheid. 

● Kragskakelaarkring van elektronballas en adapter.

VDSS	RDS(aan) (TIP)	ID
650V	2,4Ω	4A