4A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N65 TO-220F

MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 4A 650V

1 descrição

Esses vdmosfets aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o padrão RoHS. TO-220F fornece tensão de isolamento nominal de 2.000 V RMS de todos os três terminais ao dissipador de calor externo. A série TO-220F está em conformidade com os padrões UL (arquivo ref:E252906). 

2 recursos

● Troca rápida 

● Capacidade aprimorada de ESD 

● Baixa resistência (Rdson≤2,8Ω)

● Carga de porta baixa (Tipo: 14,5nC) 

● Baixas capacitâncias de transferência reversa (Tipo: 3,5pF) 

● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100% 

● Teste ΔVDS 100% 

3 aplicações 

● Usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. 

● Circuito de alimentação do reator eletrônico e adaptador.

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
650 V	2,4Ω	4A