4A 650V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet F4N65 TO-220F

4A 650V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet

1 Opis

Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže sa ROHS standardom. TO-220F osigurava izolacijski napon na 2000 V RM-a od sva tri terminala do vanjskog hladnjaka. TO-220F serija je u skladu s UL standardima (File Ref: E252906). 

2 značajke

● Brzo prebacivanje 

● ESD poboljšala sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤2.8Ω)

● Naboj s malim vratima (TIP: 14.5NC) 

● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 3,5PF) 

● 100% pojedinačni test energetike pulsa 

● 100% ΔVDS test 

3 prijave 

● Koristi se u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost. 

● Krug sklopke napajanja elektronskog balasta i adaptera.