4A 650V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET F4N65 TO-220F

4A 650V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET

1 መግለጫ

እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ በራስ-የተሰለጠነ የፕላነር ቴክኖሎጂ የተገኙት የማስተላለፊያ መጥፋትን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የጎርፍ ሃይልን ይጨምራል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል። TO-220F ከሦስቱም ተርሚናሎች ወደ ውጫዊ ሙቀት በ 2000V RMS የተገመተ የኢንሱሌሽን ቮልቴጅ ያቀርባል። TO-220F ተከታታይ የ UL ደረጃዎችን ያከብራሉ (ፋይል ማጣቀሻ፡E252906)። 

2 ባህሪያት

● ፈጣን መቀያየር 

● ESD ችሎታን አሻሽሏል። 

● የመቋቋም አቅም ዝቅተኛ (Rdson≤2.8Ω)

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 14.5nC) 

● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 3.5pF) 

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ 

● 100% ΔVDS ፈተና 

3 መተግበሪያዎች 

● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት ዝቅተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል። 

● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
650 ቪ	2.4Ω	4A