4A 650V N-kanalforbedringsmodus MOSFET F4N65 TO-220F

4A 650V N-kanals forbedringsmodus MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET-er, oppnås av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen og forbedrer snøskredenergien. Som stemmer overens med ROHS -standarden. TO-220F gir isolasjonsspenning vurdert til 2000V RMS fra alle tre terminalene til ekstern kjøler. TO-220F-serien er i samsvar med UL-standarder (File Ref: E252906). 

2 funksjoner

● Rask bytte 

● ESD forbedret muligheten 

● Lav på motstand (Rdson≤2,8Ω)

● Lav portladning (TYP: 14.5NC) 

● Lav omvendt overføringskapasitans (TYP: 3,5PF) 

● 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test 

● 100% ΔVDS -test 

3 søknader 

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet. 

● Strømbryterkrets for elektronballast og adapter.