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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 60 V DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Specifica Rev.1.0.pdf
Modulo IGBT modulo mezzo ponte 50A 650V DGA50H65M2T 34mm DGA50H65M2T 34 mm 650 V 50A DGA50H65M2T.pdf
MOSFET di potenza DHS110N15 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 90 A 150 V DHS110N15 TO-220C 150 V 90A Specifiche del dispositivo DHS110N15 Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 25 A 100 V DH100P25D TO-252B DH100P25D TO-252B -100 V -25A Specifiche del dispositivo DH100P25.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 60 V DH066N06 TO-220C DH066N06 TO-220C 60 V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 18 A 100 V DH100P18B TO-251B DH100P18B TO-251B 100 V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza TO-220C in modalità potenziamento canale N da 47 A 100 V DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Specifiche del dispositivo DHS180N10L.pdf
Modulo mezzo ponte 150A 1200V DGB150H120L2T 62mm DGB150H120L2T 62 mm 1200 V 150A DGB150H120L2T(1).pdf
Modulo mezzo ponte 250A 1200V Modulo IGBT DGB250H120L2T 62mm DGB250H120L2T 62 mm 1200 V 250A DGB250H120L2T-REV1.1.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Specifiche del dispositivo DCE10D65G4.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60 V 145A Dispositivo DH045N06 Specifiche.pdf
PIM da 50 A 1200 V in un modulo IGBT DGC50C120M2T Econo PIM2 DGC50C120M2T EconoPIM2 1200 V 50A DGC50C120M2T-REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 60 A 20 V DH048N02B/DH048N02D
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 21 A 100 V DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
Diodo a recupero rapido 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200 V 60A Il modello MUR6020BCA è Rev. 1.1.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 mm 1700 V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 90 A 40 V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Dispositivo DH045N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 13A 650V DHSJ13N65 TO-220C DHSJ13N65 TO-220C 650 V 13A Specifiche del dispositivo DHSJ13N65.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 4,8 A 650 V DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8 A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
CI regolatore di tensione a tre terminali L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

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