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Diodo barriera Schottky 10A 45V MBR1045CT TO-252 MBR1045CT TO-252B 45 V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 19 A 80 V DH300N08D TO-252B DH300N08D TO-252B 80 V 19A Dispositivo DH300N08 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 61A 60V DH16N06 TO-220C DH16N06 TO-220C 60 V 61A Dispositivo DH16N06 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza F10N70 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 10 A 700 V F10N70 TO-220F 700 V 10A 英文版F10N70技术规格书REV1.0.pdf
-30A -60V MOSFET di potenza modalità potenziamento canale P DH400P06LD TO-252B DH400P06LD TO-252B -60V -30A Donghai_DH400P06LD&DH400P06LB_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza DHS025N10 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 240 A 100 V DHS025N10 TO-220C 100 V 240A Specifiche del dispositivo DHS025N10.pdf
Diodo a recupero rapido 16A 400V MUR1640CT TO-220M MUR1640CT TO-220M 400 V 16A 英文版MUR1640CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza F7N70 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 7 A 700 V F7N70 TO-220F 700 V 7A 英文版F7N70技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 80 V DSG047N08N3/DSE047N08N3 TO-220C e TO-263 DSG047N08N3 TO-220C 80 V 120A Donghai_DSG047N08N3&DSE047N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky da 20 A 100 V MBRA20100CT TO-220M MBRA20100CT
PACCHETTO PEDAGGIO MOSFET di potenza DHS010N04U in modalità potenziamento canale N da 300 A 40 V DHS010N04U PEDAGGIO 40 V 300A Donghai_DHS010N04U_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza N6005/FN6005/EN6005 in modalità potenziata a canale N da 210 A 60 V N6005 TO-220C 60 V 180A Specifiche del dispositivo N6005B40.pdf
Transistor epitassiale al silicio NPN 13003G5 TO-126 13003G5
MOSFET di potenza DHZ24 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 30 A 60 V DHZ24 TO-220C 60 V 30A Specifiche del dispositivo DHZ24B31.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 6A 650V DCGT06D65G4 TO-220-2L DCGT06D65G4 TO-220-2L 650 V 6A Donghai_DCGT06D65G4_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 30A 650V DGF30F65M2 TO-220F DGF30F65M2 TO-220F 650 V 30A DGF30F65M2__datasheet.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 18 A 100 V DH100P18D TO-252B DH100P18D TO-252B 100 V 18A Dispositivo DH100P18 B79 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N 17A 650V DHSJ17N65 TO-220C DHSJ17N65 TO-220C 650 V 17A Specifiche del dispositivo DHSJ17N65.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR6030NCS TO-3PN MUR6030NCS TO-3PN 300 V 60A 英文版MUR6030NCS技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 10A 45V MBRF1045CT TO-220F MBRF1045CT TO-220F 45 V 10A 英文版MBR1045CT series技术规格书.pdf

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