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Diodo a recupero rapido 10A 600V MUR1060 TO-220-2L MUR1060 TO-220-2L 600 V 10A 英文版MUR1060技术规格书REV1.1.pdf
840/F840/I840/E840/B840/D840
740/F740/I740/E740/B740/D740
Diodo a recupero rapido 16A 200V MUR1620CT TO-220C MUR1620CT TO-220C 200 V 16A 英文版MUR1620CT技术规格书(1).pdf
DGC75C120M2T
G50T65LBBW
5N50/F5N50/B5N50/D5N50
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 30 V DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30 V 100A Specifiche del dispositivo DHP150N03(1).pdf
G50T65LBBW
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 98 V DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120A Dispositivo DH90N045RSM2 Specifiche.pdf
DGF25F65M
Diodo a recupero rapido 20A 400V MUR20FU40CT TO-220C MUR20FU40CT TO-220C 400 V 20A 英文版MUR20FU40CT技术规格书REV1.1.pdf
DGC75F65M
DGC75F120M2
Diodo a recupero rapido 80A 200V MUR80FU20DCS MUR80FU20DCS
G20T65D
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 18 A 200 V D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200 V 18A Dispositivo D18N20 Specifiche Rev.1.0.pdf
10N60/F10N60/E10N60
MOSFET N DSD190N10L3 TO-252B da 100 V/15 mΩ/50 A DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50A DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 40A 1200V DGC40F120M2 TO-247 DGC40F120M2 TO-247 1200 V 40A DGC40F120M2 - scheda tecnica-20230621.pdf

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