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Diodo barriera Schottky SiC 20A 1200V DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200 V 20A Specifiche del dispositivo DCC20D120G4.pdf
MOSFET N 120 V/12 mΩ/70 A DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120 V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 11 A 650 V DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Dispositivo DHSJ11N65Specifiche(S).pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L DGC75F65M TO-247-3L 650 V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
135 V/3,3 mΩ/225 A N-MOSFET DSU035N14N3 Pacchetto pedaggio DSU035N14N3 PEDAGGIO 135 V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
Diodo a recupero rapido 40A 200V MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT TO-3PN 200 V 40A Il modello MUR4020NCT-XCB è Rev. 1.0.pdf
Transistor bipolare con gate isolato 25A 1200V G25T120D TO-247 G25T120D TO-247 1200 V 25A DHG25T120D英文技术规格书（TO-247).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 12 A 650 V 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 31 A 600 V DJC099N60F/DJF099N60F
IC regolatore di tensione a tre terminali L7818 TO-220M L7818 TO-220M 18 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
CI regolatore di tensione a tre terminali L7824 TO-220M L7824 TO-220M 24 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N da 68 A 1200 V DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
Diodo barriera Schottky da 20 A 100 V MBR20100CT TO-220M MBR20100CT TO-220M 100 V 20A 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 12 A 700 V DJF360N70
Diodo a recupero rapido 20A 600V MUR2060A TO-220-2L MUR2060A TO-220-2L 600 V 20A 英文版MUR2060A技术规格书（2L）.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Specifiche del dispositivo DHS045N98-Rev.1.0.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 100V MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100 V 30A 英文版MBRD30100CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 42 A 600 V DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Specifiche del dispositivo DJC070N60F.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 145 A 30 V DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V 145A Dispositivo DH028N03 Specifiche.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 50A 650V G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf

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