未命名(1)(8) (1)
cancello
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti trovi qui: Casa » Prodotti
Modello:
Pacchetto:
V:
UN:
LINEE DI PRODOTTO SELEZIONATE:

Tutti i prodotti

Immagine Modello Pacchetto V A Scheda tecnica Dettagli Richiesta Aggiungi al carrello
MOSFET di potenza DHS055N85 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 110 A 85 V DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Specifiche del dispositivo DHS055N85.pdf
100 V/2 mΩ/281 A N-MOSFET PEDAGGIO DSU023N10N3 PEDAGGIO 100 V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 10A 700V MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700 V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 40A 600V MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600 V 40A 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky 20A 200V MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200 V 20A 英文版MBRF20200CT技术规格书REV1.1.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 45V BASSO VF MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45 V 30A 英文版MBR30R45CTS series技术规格书.pdf
MOSFET di potenza DHS020N88 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 180 A 85 V DHS020N88 TO-220C 85 V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V 100A Dispositivo DH100N03 B13 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 112 A 68 V DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
Transistor bipolare con gate isolato 60A 650V G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650 V 60A Specifiche del dispositivo DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500 V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 7 A 650 V 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 15 A 650 V 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15A
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 60 A 68 V DH60N06/DHF60N06/DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Specifiche del dispositivo DH60N06+.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500 V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 110 A 60 V DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60 V 110A Dispositivo+DH066N06+Specifica+Rev.2.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 23 A 500 V 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500 V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 4 A 600 V B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Modulo mezzo ponte 600A 1200V DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200 V 600A DGB600H120L2T.pdf
MOSFET di potenza D7N70 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 7 A 700 V D7N70 TO-252B 700 V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

Video del prodotto

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iscriviti alla nostra newsletter
  • preparati per il futuro
    iscriviti alla nostra newsletter per ricevere gli aggiornamenti direttamente nella tua casella di posta
    Invia
Copyright © 2023​​​​​​​ Tecnologia Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd di leadong.com