brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
110A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS055N85.pdf
OPŁATA N-MOSFET 100V/2mΩ/281A DSU023N10N3 MYTO 100 V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 10A 700V MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700 V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 40A 600V MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600 V 40A 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
20A 200V Schottky'egoDioda barierowa MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200 V 20A Przeczytaj MBRF20200CT 技术规格书REV1.1.pdf
30A 45V NISKI VF Schottky'egoDioda barierowa MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45 V 30A 英文版MBR30R45CTS series技术规格书.pdf
180A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85 V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Arkusz danych_V2.0.pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30 V 100A Urządzenie DH100N03 B13 Specyfikacja.pdf
112A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68 V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 60A 650 V G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650 V 60A Specyfikacja urządzenia DHG60T65D (TO-3PN) wersja 1.2.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500 V 4A 英文版DH4N150B 技术规格书.pdf
7A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650 V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
15A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650 V 15A
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60 V 60A Specyfikacja urządzenia DH60N06+.pdf
 Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500 V 13A 英文版F13N50 技术规格书R1.1.pdf
110A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60 V 110A Urządzenie+DH066N06+Specyfikacja+Rev.2.0.pdf
23A 500 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500 V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600 V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Moduł półmostkowy 600A 1200V DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62mm 1200 V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700 V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą