未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 1200 V SiC DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200 V 20A Specyfikacja urządzenia DCC20D120G4.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120 V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
11A 650V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650 V 11A Urządzenie DHSJ11N65Specyfikacja(S).pdf
75A 650 V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop DGC75F65M TO-247-3L DGC75F65M TO-247-3L 650 V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
135 V/3,3 mΩ/225 A N-MOSFET DSU035N14N3 Pakiet płatny DSU035N14N3 MYTO 135 V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 40A 200V MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT TO-3PN 200 V 40A Wersja MUR4020NCT-XCB 术规格书Rev. 1.0.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 25A 1200 V G25T120D TO-247 G25T120D TO-247 1200 V 25A DHG25T120D英文技术规格书(TO-247).pdf
12A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
31A 600V N-kanałowy MOSFET mocy z superzłączem DJC099N60F/DJF099N60F
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7818 TO-220M L7818 TO-220M 18 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7824 TO-220M L7824 TO-220M 24 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
68A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCC040M120A2/ DCCF040M120A2
20A 100V Schottky'egoDioda barierowa MBR20100CT TO-220M MBR20100CT TO-220M 100 V 20A Plik źródłowy MBR20100CT 技术规格书.pdf
N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy 12 A, 700 V DJF360N70
Dioda szybkiego odzyskiwania 20A 600V MUR2060A TO-220-2L MUR2060A TO-220-2L 600 V 20A 英文版MUR2060A 技术规格书(2L).pdf
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98 V 120A Urządzenie DHS045N98 Specyfikacja-Rev.1.0.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 30A 100 V MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100 V 30A Podręcznik MBRD30100CT 技术规格书REV1.0.pdf
42A 600V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600 V 42A Specyfikacja urządzenia DJC070N60F.pdf
145A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V 145A Specyfikacja urządzenia DH028N03.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 50A, 650 V, G50T65D TO-3PN G50T65D TO-3PN 650 V 50A G50T65D 技术规格书.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com