未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Dioda szybkiego odzyskiwania 10A 600V MUR1060 TO-220-2L MUR1060 TO-220-2L 600 V 10A 英文版MUR1060技术规格书REV1.1.pdf
840/F840/I840/E840/B840/D840
740/F740/I740/E740/B740/D740
Dioda szybkiego odzyskiwania 16A 200V MUR1620CT TO-220C MUR1620CT TO-220C 200 V 16A 英文版MUR1620CT技术规格书(1).pdf
DGC75C120M2T
G50T65LBBW
5N50/F5N50/B5N50/D5N50
100A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30 V 100A Specyfikacja urządzenia DHP150N03(1).pdf
G50T65LBBW
120A 98V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120A Specyfikacja urządzenia DH90N045RSM2.pdf
DGF25F65M
Dioda szybkiego odzyskiwania 20A 400V MUR20FU40CT TO-220C MUR20FU40CT TO-220C 400 V 20A 英文版MUR20FU40CT技术规格书REV1.1.pdf
DGC75F65M
DGC75F120M2
Dioda szybkiego odzyskiwania 80A 200V MUR80FU20DCS MUR80FU20DCS
G20T65D
18A 200V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200 V 18A Specyfikacja urządzenia D18N20 Rev.1.0.pdf
10N60/F10N60/E10N60
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50A DSD190N10L3 i DSB190N10L3_Arkusz danych_V1.0.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 40A 1200 V Trenchstop DGC40F120M2 TO-247 DGC40F120M2 TO-247 1200 V 40A DGC40F120M2 - karta katalogowa-20230621.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com