未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nalazite se ovdje: Dom » Proizvodi
Model:
Paket:
V:
A:
ODABRANE LINIJE PROIZVODA:

Svi proizvodi

Slika Model Paket V A Datasheet Detalji Upit Dodaj u košaricu
80A 300V Dioda za brzi oporavak MUR80G30NCT TO-3PN MUR80G30NCT TO-3PN 300V 80A 英文版 MUR80G30NCT技术规格书REV.1.0.pdf
120A 98V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET DHS046N10D TO-252B DHS046N10D TO-252B 98V 120A Uređaj DHS046N10 Specifikacija.pdf
500V/4A polumostni IPM DPQA04HB50MF SOP-11 DPQA04HB50MF SOP-11 500V 4A Donghai_DPQA04HB50MF_podatkovna tablica_V1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
110A 60V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET DH065N06D TO-252B DH065N06D TO-252B 60V 110A Donghai_DH065N06D_Podatkovna tablica_V2.0.pdf
20A 60V Schottky Barrier Diode MBRF2060CT TO-220F MBRF2060CT TO-220F 60V 20A 英文版MBRF2060CT技术规格书.pdf
2N65/F2N65/B2N65/D2N65
20N60/F20N60/20N60D
20A 100V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET DHS400N10D TO-252B DHS400N10D TO-252B 100 V 20A Donghai_DHS400N10D_Podatkovna tablica_V2.0 .pdf
100A 100V N-kanalni mod poboljšanja Power MOSFET DHS065N10 TO-220C 100 V 95A Uređaj+DHS065N10+Specifikacija+Rev.2.0.pdf
220A 40V N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40V 220A Specifikacija uređaja DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
12N60/F12N60/E12N60
170A 30V N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
P-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3*3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12A Specifikacija uređaja DH500P06R Rev.1.0.pdf
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A Donghai_DCCF016M120G3_podatkovna tablica_V1.0(1).pdf
40A 100V Schottky Barrier Diode MBR40100CT TO-220C MBR40100CT TO-220C 100 V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
14A 650V N-kanalni način poboljšanja snage MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-kanalni mod poboljšanja snage MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Specifikacija uređaja DH8004 (2).pdf
N-kanalni način rada za poboljšanje snage MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100 V 110A Uređaj DHS052N10 Specifikacija.pdf

Video o proizvodu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš newsletter
  • pripremite se za budućnost,
    prijavite se za naš bilten kako biste primali novosti izravno u svoju pristiglu poštu
    Pošalji
Autorsko pravo © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija od leadong.com