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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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10A 600V Fast-Recovery-Diode MUR1060 TO-220-2L MUR1060 TO-220-2L 600V 10A 英文版MUR1060术规格书REV1.1.pdf
840/F840/I840/E840/B840/D840
740/F740/I740/E740/B740/D740
 16A 200V Fast-Recovery-Diode MUR1620CT TO-220C MUR1620CT TO-220C 200V 16A 英文版MUR1620CT术规格书(1).pdf
DGC75C120M2T
G50T65LBBW
5N50/F5N50/B5N50/D5N50
100 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A Gerätespezifikation DHP150N03(1).pdf
G50T65LBBW
120 A 98 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98V 120A Gerätespezifikation DH90N045RSM2.pdf
DGF25F65M
20A 400V Fast-Recovery-Diode MUR20FU40CT TO-220C MUR20FU40CT TO-220C 400V 20A 英文版MUR20FU40CT术规格书REV1.1.pdf
DGC75F65M
DGC75F120M2
Schnelle Freilaufdiode 80A 200V MUR80FU20DCS MUR80FU20DCS
G20T65D
18 A 200 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A Geräte-D18N20-Spezifikation Rev.1.0.pdf
10N60/F10N60/E10N60
100 V/15 mΩ/50 A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100V 50A DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datenblatt_V1.0.pdf
40 A 1200 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGC40F120M2 TO-247 DGC40F120M2 TO-247 1200V 40A DGC40F120M2 – Datenblatt-20230621.pdf

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