未命名(1)(8) (1)
ປະຕູ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
ເຈົ້າຢູ່ນີ້: ບ້ານ » ຜະລິດຕະພັນ
ຕົວແບບ:
ຊຸດ:
V:
A:
ສາຍຜະລິດຕະພັນທີ່ເລືອກ:

ຜະລິດຕະພັນທັງຫມົດ

ຮູບພາບ ແບບ ຊຸດຕົວ V A ສານ ລາຍລະອຽດເອກະ ສອບຖາມ ເພີ່ມໃສ່ກະຕ່າ
ໄດໂອດຟື້ນຟູໄວ 10A 600V MUR1060 TO-220-2L MUR1060 TO-220-2L 600V 10A 英文版MUR1060技术规格书REV1.1.pdf
840/F840/I840/ E840/B840/D840
740/F740/I740/ E740/B740/D740
ໄດໂອດຟື້ນຟູໄວ 16A 200V MUR1620CT TO-220C MUR1620CT TO-220C 200V 16 ກ 英文版MUR1620CT技术规格书(1).pdf
DGC75C120M2T
G50T65LBBW
5N50/F5N50/B5N50/D5N50
100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30V 100A ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງອຸປະກອນ DHP150N03(1).pdf
G50T65LBBW
120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98V 120A ອຸປະກອນ DH90N045RSM2 Specification.pdf
DGF25F65M
ໄດໂອດການຟື້ນຕົວໄວ 20A 400V MUR20FU40CT TO-220C MUR20FU40CT TO-220C 400V 20A 英文版MUR20FU40CT技术规格书REV1.1.pdf
DGC75F65M
DGC75F120M2
ໄດໂອດການຟື້ນຕົວໄວ 80A 200V MUR80FU20DCS MUR80FU20DCS
G20T65D
18A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200V 18A ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຂອງອຸປະກອນ D18N20 Rev.1.0.pdf
10N60/F10N60/E10N60
100V/15mΩ/50A N-MOSFET DSD190N10L3 TO-252B DSD190N10L3 TO-252B 100V 50A DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor DGC40F120M2 TO-247 DGC40F120M2 ເຖິງ-247 1200V 40A DGC40F120M2 - datasheet-20230621.pdf

ວິດີໂອຜະລິດຕະພັນ

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາ
  • ກຽມພ້ອມສໍາລັບອະນາຄົດ
    ທີ່ລົງທະບຽນສໍາລັບຈົດຫມາຍຂ່າວຂອງພວກເຮົາເພື່ອຮັບການອັບເດດໂດຍກົງໄປຫາ inbox ຂອງທ່ານ
    ສົ່ງ
ສະຫງວນລິຂະສິດ © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd ເຕັກໂນໂລຊີໂດຍ leadong.com