未命名 (1) (8) (1)
värav
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olete siin: Kodu » Tooted
Mudel:
Pakett:
V:
V:
VALITUD TOOTE SARJAD:

Kõik tooted

Pilt Mudelipakett V A Andmelehe detailid Päring ostukorvi Lisa
110A 85V N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET DHS055N85 TO-220C DHS055N85 KUNI -220C 85V 110A Seadme DHS055N85 spetsifikatsioon.pdf
100V/2mΩ/281A N-MOSFET TOLL DSU023N10N3 TOLL 100V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
10A 700V kiire taastav diood MUR1070 TO-220-2L MUR 1070 TO-220-2L 700V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
40A 600V kiire taastav diood MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600V 40A 英文版MUR40FU60DCT技术规格书.pdf
20A 200V Schottky BarrierDiood MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200V 20A 英文版MBRF20200CT技术规格书REV1.1.pdf
30A 45V LOW VF Schottky BarrierDiood MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS KUNI -220C 45V 30A 英文版MBR30R45CTS-seeria技术规格书.pdf
180A 85V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DHS020N88 TO-220C DHS020N88 KUNI -220C 85V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30V 100A Seadme DH100N03 B13 spetsifikatsioon.pdf
112A 68V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH100N06 TO-220C DH100N06 KUNI -220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
60A 650V isoleeritud värava bipolaarne transistor G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650V 60A Seadme DHG60T65D spetsifikatsioon (TO-3PN)Rev1.2.pdf
N-kanali täiustusrežiimi toide MOSFET 4A 1500 V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A 英文版DH4N150B技术规格书.pdf
7A 650 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET 7N65 TO-220C 7N65 KUNI -220C 650V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
15A 650V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 15N65 TO-220C 15N65 KUNI -220C 650V 15A
60A 68V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 KUNI -220C 60V 60A Seadme DH60N06 spetsifikatsioon+.pdf
N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A 英文版F13N50技术规格书R1.1.pdf
110A 60V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110A Seade+DH066N06+Spetsifikatsioon+Rev.2.0.pdf
23A 500V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
4A 600 V N-kanali laiendusrežiimi võimsus MOSFET B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
600A 1200V poolsildmoodul DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62 mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
7A 700 V N-kanali laiendusrežiimi toide MOSFET D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

Tootevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Liituge meie uudiskirjaga
  • valmistuge tulevikuks
    registreeruge meie uudiskirja saamiseks, et saada värskendused otse oma postkasti
    Esita
Autoriõigus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd tehnoloogia autor leadong.com