7A 650 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET 7N65 TO-220C

7A 650 V N-kanaliga laiendusrežiimi võimsus MOSFET

1 Kirjeldus 

Need N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id on saadud isejoondunud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandab lülitusjõudlust ja suurendab laviinienergiat. Mis vastab RoHS standardile. 

2 Omadused 

● Kiire ümberlülitamine 

● ESD täiustatud võime 

● Madal sisselülitamistakistus (Rdson≤1,45Ω) 

● Madal väravalaeng (tüüp: 24 nC) 

● Madal vastupidine ülekandemahtuvus (tüüp: 5,5 pF) 

● 100% ühe impulsi laviini energiatest 

● 100% ΔVDS test 

3 Rakendused 

● kasutatakse mitmesugustes toitelülitusahelates süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema tõhususe tagamiseks. 

● Elektronliiteseadise ja adapteri toitelüliti ahel.

VDSS	RDS (sees) (TYP)	ID
650V	1,25Ω	7A