Elérhetőség: | |
---|---|
mennyiség: | |
7N65
WXDH
220c
650 V -os
7A
7a 650V N-csatornás javítási mód Power MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (RDSON≤1,45Ω)
● Alacsony kapu töltés (typ: 24nc)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 5.5pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
650 V -os | 1,25Ω | 7A |
7a 650V N-csatornás javítási mód Power MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (RDSON≤1,45Ω)
● Alacsony kapu töltés (typ: 24nc)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 5.5pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
650 V -os | 1,25Ω | 7A |