7A 650V N-kanalni način izboljšave MOSFET 7N65 TO-220C

7A 650V N-kanalni način izboljšave Power MOSFET

1 Opis 

Ti N-kanalni izboljšani VDMOSFET-ji so pridobljeni s samoporavnano planarno tehnologijo, ki zmanjša izgubo prevodnosti, izboljša zmogljivost preklapljanja in poveča energijo plazu. Kar je v skladu s standardom RoHS. 

2 Lastnosti 

● Hitro preklapljanje 

● ESD izboljšana zmogljivost 

● Nizek vklopni upor (Rdson≤1,45Ω) 

● Nizek naboj vrat (tip: 24 nC) 

● Nizka povratna prenosna kapacitivnost (tip: 5,5 pF) 

● 100-odstotni enojni impulzni plazovni energetski test 

● 100 % test ΔVDS 

3 Aplikacije 

● uporablja se v različnih preklopnih tokokrogih za miniaturizacijo sistema in večjo učinkovitost. 

● Vezje električnega stikala elektronskega balasta in adapterja.

VDSS	RDS (vklopljen) (TYP)	ID
650V	1,25Ω	7A