7A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET
1 Description
Haec N-canali Consectetur VDMOSFETs, technologiae planae auto-aligned, quae damnum conductionis minuit, emendare mutandi effectum et augere NIVIS industriam. Quod congruit cum RoHS vexillum.
2 Features
Fast Switching
ESD Improved Capability
Minimum DE Resistentia (Rdson≤1.45Ω)
Porta Low præcipe (Typ: 24nC)
Low Reverse Transfer Capacitances (Typ: 5.5pF)
C% Singulus Pulsus NIVIS Energy Test
C% VDS Test
III Applications
● in variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae superioris adhibita.
● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 650V |
1.25Ω |
7A |