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MOSFET de puissance à super jonction canal N 11A 650V DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650V 11A Appareil DHSJ11N65Spécification(S).pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 120A, 85V, DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85V 120A Appareil DHS045N85 Spécification-Rev.2.0.pdf
-10A -40V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DH170P04V SOP-8 DH170P04V SOP-8 -40V -10A Appareil+DH170P04V+Spécifications.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 150A, 150V, DHS042N15E TO-263 DHS042N15E TO-263 150V 150A DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 81A 80V DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80V 81A Spécification de l'appareil DH060N08.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 100A, 70V, DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70V 100A DHS043N07P_Fiche technique_V2.0+.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 31 A 600 V DJC099N60F/DJF099N60F
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 120A 60V DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60V 120A Appareil+DH065N06+Spécification+Rev.2.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 10A 650V DCD10D65G4 TO-252B 650V 10A Spécification de l'appareil DCD10D65G4.pdf
Diode barrière Schottky SiC 8A 650V DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8A Spécifications de l'appareil DCGT08D65G4.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
MOSFET de puissance F4N60 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N 4A 600V F4N60 TO-220F 600V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 12 A 700 V DJF360N70
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 20A 650V DGE20F65M2 TO-263 DGE20F65M2 TO-263 650V 20A fiche technique.pdf
-6A -100V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DH100P18V SOP-8 DH100P18V SOP-8 -100V -6A DH100P18V_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 120A, 40V, DTE043N04NA TO-263 DTE043N04NA TO-263 40V 120A Appareil+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Spécification+Rev.1.0.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7812 TO-220M L7812 TO-220M 12V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 70A 60V DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60V 70A DATP057N06N_Fiche technique_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 238A 60V DH026N06 TO-220C DH026N06 TO-220C 60V 238A Spécification de l'appareil DH026N06.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal P 30A 100V DH100P28D TO-252B DH100P28D TO-252B -100V -30A Spécifications de l'appareil DH100P28.pdf

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