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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 110A, 85V, DHS055N85 TO-220C DHS055N85 TO-220C 85V 110A Spécification de l'appareil DHS055N85.pdf
PÉAGE N-MOSFET 100 V/2 mΩ/281 A DSU023N10N3 SONNER 100V 281A Donghai_DSU023N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
Diode de récupération rapide 10A 700V MUR1070 TO-220-2L MUR1070 TO-220-2L 700V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Diode de récupération rapide 40A 600V MUR40FU60DCT TO-3PN MUR40FU60DCT TO-3PN 600V 40A Description du produit MUR40FU60DCT.pdf
Diode SchottkyBarrier 20A 200V MBRF20200CT TO-220F MBRF20200CT TO-220F 200V 20A Fichier MBRF20200CT技术规格书REV1.1.pdf
30A 45V FAIBLE VF SchottkyBarrierDiode MBR30R45CTS TO-220C MBR30R45CTS TO-220C 45V 30A Description de la série MBR30R45CTS.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 180A, 85V, DHS020N88 TO-220C DHS020N88 TO-220C 85V 180A Donghai_DHS020N88&DHS020N88E&DHS020N88I_Datasheet_V2.0.pdf
Mode d'amélioration du canal N MOSFET de puissance 100A 30V DHD100N03 TO-252B DHD100N03 TO-252B 30V 100A Spécification de l'appareil DH100N03 B13.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 112A 68V DH100N06 TO-220C DH100N06 TO-220C 68V 112A Donghai_DH100N06_Datasheet_V3.0.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée 60A 650V G60T65D TO-3PN DHG60T65D TO-3PN 650V 60A Spécification de l'appareil DHG60T65D (TO-3PN) Rev1.2.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 4A 1500V DH4N150B TO-247 DH4N150B TO-247 1500V 4A Description du produit DH4N150B.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 7A 650V 7N65 TO-220C 7N65 TO-220C 650V 7A 英文版7N65技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 15A 650V 15N65 TO-220C 15N65 TO-220C 650V 15A
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 60A 68V DH60N06/DHF60N06/ DHE60N06/DHB60N06/DHD60N06 DH60N06 TO-220C 60V 60A Spécification de l'appareil DH60N06+.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 TO-220F 500V 13A Fichier F13N50技术规格书R1.1.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 110A 60V DH066N06E TO-263 DH066N06E TO-263 60V 110A Appareil+DH066N06+Spécification+Rev.2.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 23A 500V 23N50D TO-3P 23N50D TO-3PN 500V 23A 英文版23N50D技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 4A 600V B4N60 B4N60 TO-251B 600V 4A 英文版B4N60技术规格书.pdf
Module demi-pont 600A 1200V DGB600H120L2T 62mm DGB600H120L2T 62mm 1200V 600A DGB600H120L2T.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 7A 700V D7N70 TO-252B D7N70 TO-252B 700V 7A 英文版D7N70技术规格书.pdf

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