未命名(1)(8) (1)
grille
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vous êtes ici : Maison » Produits
Modèle:
Emballer:
V :
UN:
LIGNES DE PRODUITS SÉLECTIONNÉES :

Tous les produits

Image Modèle Package V A Fiche technique Détails Demande Ajouter au panier
Diode barrière Schottky SiC 20A 1200V DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200V 20A Spécifications de l'appareil DCC20D120G4.pdf
120 V/12 mΩ/70 A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 11A 650V DHSJ11N65 TO-220C DHSJ11N65 TO-220C 650V 11A Appareil DHSJ11N65Spécification(S).pdf
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L DGC75F65M TO-247-3L 650V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
Paquet payant 135 V/3,3 mΩ/225 A N-MOSFET DSU035N14N3 DSU035N14N3 SONNER 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
Diode de récupération rapide 40A 200V MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT TO-3PN 200V 40A Le modèle MUR4020NCT-XCB est disponible en version Rev. 1.0.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée 25A 1200V G25T120D TO-247 G25T120D TO-247 1200V 25A DHG25T120D英文技术规格书(TO-247).pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 12A 650V 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 31 A 600 V DJC099N60F/DJF099N60F
Régulateur de tension à trois bornes IC L7818 TO-220M L7818 TO-220M 18V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7824 TO-220M L7824 TO-220M 24V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
MOSFET de puissance SIC canal N 68 A 1 200 V DCC040M120A2/DCCF040M120A2
Diode SchottkyBarrier 20A 100V MBR20100CT TO-220M MBR20100CT TO-220M 100V 20A Fichier MBR20100CT.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 12 A 700 V DJF360N70
Diode de récupération rapide 20A 600V MUR2060A TO-220-2L MUR2060A TO-220-2L 600V 20A Manuel MUR2060A.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 TO-220C 98V 120A Appareil DHS045N98 Spécification-Rev.1.0.pdf
Diode barrière Schottky 30A 100V MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100V 30A Fichier MBRD30100CT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de puissance Super jonction canal N 42A 600V DJC070N60F TO-247 DJC070N60F TO-247 600V 42A Spécifications de l'appareil DJC070N60F.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 145A 30V DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Spécification de l'appareil DH028N03.pdf
transistor bipolaire G50T65D TO-3PN de porte isolée par Trenchstop de 50A 650V G50T65D TO-3PN 650V 50A G50T65D version anglaise.pdf

Vidéo du produit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Inscrivez-vous à notre newsletter
  • préparez-vous pour l'avenir,
    inscrivez-vous à notre newsletter pour recevoir des mises à jour directement dans votre boîte de réception
    Soumettre
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie par leadong.com