未命名(1)(8) (1)
grille
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Vous êtes ici : Maison » Produits
Modèle:
Emballer:
V :
UN:
LIGNES DE PRODUITS SÉLECTIONNÉES :

Tous les produits

Image Modèle Package V A Fiche technique Détails Demande Ajouter au panier
Paquet TIP122 TO-220M de transistor de silicium épitaxial NPN CONSEIL127 TO-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Diode de récupération rapide 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600V 8A Description du produitMUR860技术规格书220-2L.pdf
Paquet TIP122 TO-220M de transistor de silicium épitaxial NPN CONSEIL122 TO-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Appareil DHS045N88 Spécification-Rev.1.0.pdf
Diode de récupération rapide 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300V 60A Description du produit MUR6030DCS.pdf
-30A -100V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Spécifications de l'appareil DH100P30CB1Q.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Appareil DHS045N88 Spécification-Rev.1.0.pdf
Module demi-pont 100A 650V, module IGBT DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée DHG20T65D TO-220F, 18A 650V DHG20T65D TO-220F 650V 18A Spécification de l'appareil DHG20T65D (TO-220F).pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Spécification de l'appareil DHS052N10.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Spécification de l'appareil DHS052N10.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 20A 500V 20N50B TO-247 20N50B TO-247 500V 20A Spécification de l'appareil 20N50 (1).pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 50A 120V DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Spécifications de l'appareil DH150N12.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal P 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
Diode de récupération rapide 10A 700V MURF1070 TO-220F-2L MURF1070 TO-220F 700V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Diode SchottkyBarrier 20A 100V MBR20100CT TO-252 MJD122 TO-252 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 40A 30V DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 47A 100V DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Spécifications de l'appareil DH135N10P.pdf

Vidéo du produit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Inscrivez-vous à notre newsletter
  • préparez-vous pour l'avenir,
    inscrivez-vous à notre newsletter pour recevoir des mises à jour directement dans votre boîte de réception
    Soumettre
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologie par leadong.com