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100 V/8 mΩ/68 A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100V 68A DSD090N10L3A_Fiche technique_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 20A 650V DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650V 20A Spécification de l'appareil DCC20D65G4.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée par Trenchstop 20A 650V DGC20F65M2 TO-247-3L DGC20F65M2 TO-247 650V 20A fiche technique.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 120A, 40V, DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40V 120A Appareil+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Spécification+Rev.1.0.pdf
Diode de récupération rapide 60A 600V MUR6060BCT MUR6060BCT TO-247 MUR6060BCT TO-247 600V 60A Fichier MUR6060BCT pour REV1.1.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N 40 mΩ 650 V DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650V 52A DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Fiche technique_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 8A 650V DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650V 8A Spécification de l'appareil DCE08D65G4.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 250A 40V DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40V 250A Spécification de l'appareil DH019N04.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 18N20/F18N20/I18N20/E18N20/B18N20/D18N20
68 V/7,2 mΩ/80 A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N TO-252B 68V 80A DTD080N07N_Fiche technique_V1.0.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7810 TO-220M L7810 TO-220M 10V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
40 V/4,5 mΩ/40 A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
Diode de récupération rapide 30A 400V MUR3040NCS TO-3PN MUR3040NCS TO-3PN 400V 30A Manuel MUR3040NCS.pdf
Diode de récupération rapide 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200V 60A Le modèle MUR6020BCA est Rev. 1.1.pdf
Diode barrière Schottky 30A 100V MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100V 30A Fichier MBRD30100CT技术规格书REV1.0.pdf
Module IGBT demi-pont 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 90A 40V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Spécification de l'appareil DH045N04.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 145A 30V DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Spécification de l'appareil DH028N03.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N, 4,8 a, 650V, DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650V 4,8A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Régulateur de tension à trois bornes IC L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

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