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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 5A 650V B5N65 TO-251B B5N65 TO-251B 650V 5A 英文版B5N65技术规格书MAX.pdf
MOSFET de puissance F10N60 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N, 10A 600V F10N60 TO-220F 600V 10A 英文版F10N60技术规格书.pdf
MOSFET de puissance SiC canal N 20 mΩ 650 V DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650V 92A Donghai_DCC020M65G2&DCCF020M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 10A 650V 10N65 TO-220C 10N65 TO-220C 650V 10A 英文版10N65技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 13A 500V 13N50 TO-220C 13N50 TO-220C 500V 13A 英文版13N50技术规格书.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 4A 800V B4N80 TO-251B B4N80 TO-251B 800V 4A 英文版B4N80技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 4A 1500V DH4N150F TO-3PF DH4N150F TO-3PF 1500V 4A Description du produit DH4N150F.pdf
MOSFET de puissance SIC canal N 41A 650V DCC060M65G2 TO-247 DCC060M65G2 TO-247 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diode barrière Schottky SiC 5A 1200V DCD05D120G3
MOSFET de puissance F14N65 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N, 14A 650V F14N65 TO-220F 650V 14A 英文版F14N65技术规格书AY3.pdf
Diode barrière Schottky SiC 25A 650V DCET20D65G3 TO-263-2 DCET20D65G3
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 10A 600V 10N60 10N60
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 5A 500V 5N50 5N50
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 5A 650V 5N65C TO-220C 5N65C TO-220C 650V 5A 英文版5N65C技术规格书.pdf
MOSFET de puissance F10N80 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N, 10A, 800V F10N80 TO-220F 800V 10A 英文版F10N80技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N, 180A, 60V, DHS015N06 TO-220C DHS015N06 TO-220C 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+fiche technique+Rev.1.0.pdf
MOSFET de puissance à super jonction canal N 16A 650V DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) DHSJ21N65Z PDFN4(8*8) 650V 16A Fiche technique Donghai DHSJ21N65Z V1.0 (1) .pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 13A 500V E13N50 TO-263 E13N50 TO-263 500V 13A 英文版E13N50技术规格书.pdf
Module IGBT demi-pont 50A 1200V DHG50N120D 34mm DHG50N120D 34mm 1200V 50A DHG50N120D.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 7A 700V B7N70 TO-251B B7N70 TO-251B 700V 7A 英文版B7N70技术规格书.pdf

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