Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
Пакет эпитаксиального кремниевого транзистора ТИП122 НПН ТО-220М СОВЕТ127 ТО-220М -100В -5А 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Диод быстрого восстановления 8А 600В МУР860 ТО-220-2Л МУР860 ТО-220-2Л 600В 8А 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
Пакет эпитаксиального кремниевого транзистора ТИП122 НПН ТО-220М СОВЕТ122 ТО-220М 100 В 5А 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 120 А, 85 В DHS045N88D TO-252B ДХС045Н88 ТО-220С 85В 120А Спецификация устройства DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Диод быстрого восстановления 60А 300В MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS ТО-3П 300В 60А 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
-30A -100V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH100P30CD TO-252B ДХ100П30КД ТО-252Б -100В -30А Спецификация устройства DH100P30CB1Q.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 68 А, 100 В DH140N10F TO-220F ДХ140Н10Ф ТО-220Ф 100 В 68А Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 120 А, 85 В DHS045N88E TO-263 ДХС045Н88Е ТО-263 85В 120А Спецификация устройства DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Полумостовой модуль 100 А, 650 В Модуль IGBT DGA100H65M2T 34 мм ДГА100Х65М2Т 34 мм 650В 100А ДГА100Х65М2Т.pdf
18А 650В биполярный транзистор с изолированным затвором DHG20T65D TO-220F ДХГ20Т65Д ТО-220Ф 650В 18А Спецификация устройства DHG20T65D(TO-220F).pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 110 А, 100 В DHS052N10D TO-252B ДХС052Н10Д ТО-252Б 100 В 110А Спецификация устройства DHS052N10.pdf
7Н65/Ф7Н65/Б7Н65/Д7Н65
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 110 А, 100 В DHS052N10F TO-220F ДХС052Н10Ф ТО-220Ф 100 В 110А Спецификация устройства DHS052N10.pdf
20 А, 500 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 20N50B TO-247 20Н50Б ТО-247 500В 20А Спецификация устройства 20Н50(1).pdf
50 А, 120 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH150N12D TO-252B ДХ150Н12Д ТО-252Б 120 В 50А Спецификация устройства DH150N12.pdf
Режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор 30 А, 100 В DH100P30AB TO-251B ДХ100П30АБ ТО-251Б 100 В 30А
10А 700В Диод быстрого восстановления MURF1070 TO-220F-2L MURF1070 ТО-220Ф 700В 10А 英文版MUR1070技术规格书.pdf
Диод Шоттки с барьером Шоттки, 20 А, 100 В MBR20100CT TO-252 MJD122 ТО-252 100 В 5А 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
40А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHD80N03 TO-252B ДХД80Н03 ТО-252Б 30 В 40А Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
47 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH135N10P DFN5X6 ДХ135Н10П DFN5X6 100 В 47А Спецификация устройства DH135N10P.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторское право © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com