未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
25A 100 В p-канала режим улучшения мощности Mosfet DH100P25D до 252B DH100P25D До 252b -100 В. -25a Устройство DH100P25 Specification.pdf
N-канальный режим режима мощности Power MOSFET 145A 60V DH045N06 до-220C DH045N06 До-220c 60 В 145а Устройство DH045N06 Specification.pdf
80A 100 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 В 80A Устройство DHS065N10P спецификация (1) .pdf
DHS051N10P DFN5X6 DHS051N10P DFN5X6 100 В 108а Устройство DHS051N10P Спецификация (2) .pdf
DSG041N08NA до-220C DSG041N08NA До-220c 85 В 180a Устройство+DSG041N08NA+Спецификация+Rev.1.0.pdf
10A 150V SchottkybarrierDiode MBR10150CT to-263 MBR10150CT До 263 150 В. 10а MBR10150CT 技术规格书 .pdf
100A 68V N-канальный режим режима Power MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A До-220c 68 В 100А Устройство DH3205A спецификация.pdf
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
N-канальный режим режима мощности Power MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
65A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
180A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
120A100V N-канальный режим режима Power MOSFET D120N10 До-220c 100 В 120a Устройство D120N10ZR Specification.pdf
20n90d/20n90b
13n90
9n90/f9n90/e9n90
6n90/f6n90
7n80/f7n80/e7n80
10n80/f10n80/e10n80
DHU3N90/DHD3N90
F4N80/B4N80

Видео продукта

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com