未命名 (1) (8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Вы здесь: Дом » Продукты
Модель:
Упаковка:
V:
A:
Выбранные линейки продуктов:

Все продукты

изображений модели Пакет v Анаширование данных сведения о данных Добавить в корзину
60a 20 В n-канальный режим улучшения режима мощности DH048N02B/DH048N02D
320A 20 В n-канальный режим улучшения режима мощности DH009N02U
90A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH045N04 до-220C DH045N04 До-220c 40 В 90A Устройство DH045N04 Specification.pdf
170a 100 В n-канальный режим улучшения мощности Mosfet DSE028N10N3 до-263 DSE028N10N3 До 263 100 В 170a DSG030N10N3 & DSE028N10N3_DATASHEET_V1.0.PDF
238A 60 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH026N06 до-220C DH026N06 До-220c 60 В 238а Устройство DH026N06 Specification.pdf
120A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH033N04 до-220C DH033N04 До-220c 40 В 120a Устройство DH033N04 Specification.pdf
60a 40 В N-канальный режим улучшения мощности Mosfet DH065N04P DFN5X6 DH065N04P DFN5X6 40 В 60A Устройство DH065N04P Specization.pdf
105A 68V N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 До-220c 68 В 105а Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+DataSheet+v2.0 .pdf
180A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 До-220c 40 В 180a Donghai+DHS021N04 & DHS021N04E+DataSheeT+v3.0.pdf
20A 650V SIC Schottky Барьер диод DCC20D65G4 до-247-3 DCC20D65G4 До 247 650 В. 20А Устройство DCC20D65G4 Specification.pdf
100A 85V N-канальный режим режима Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 До-220c 85 В 100А Устройство DH85N08 Specification.pdf
80A 40 В n-канальный режим режима мощности MOSFET DH065N04D до 252B DH065N04D До 252b 40 В 80A Устройство DH065N04 Specification.pdf
SIC Schottky Barrier Diode 10A 650V DCGT10D65G4 до-220-2L DCGT10D65G4 До-220-2L 650 В. 10а Устройство DCGT10D65G4 Specification.pdf
100A 70V N-канальный режим режима мощности MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70В 100А DHS043N07P_DATASHEET_V2.0+.pdf
120a 60 В n-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 До-220c 60 В 120a Устройство+DH065N06+Спецификация+Rev.2.0.pdf
250A 40 В N-канальный режим улучшения мощности MOSFET DH019N04 до-220C DH019N04 До-220c 40 В 250a Устройство DH019N04 Specification.pdf
10A 650V SIC Schottky Diode DCD10D65G4 До 252b 650 В. 10а Устройство DCD10D65G4 Specification.pdf
8A 650V SIC Schottky Барьер диод DCGT08D65G4 до-220-2L DCGT08D65G4 До-220-2L 650 В. 8а Устройство DCGT08D65G4 Specification.pdf
49A 80 В n-канальный режим улучшения режима питания Mosfet DH116N08d До 252b 80 В 49а Устройство DH116N08 Specification.pdf
N-канальный режим улучшения мощности MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E

Продукт видео

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене
  • Будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу новостную рассылку, чтобы получить обновления прямо в ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By vedong.com