Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
10,6 А, 650 В, N-канальный силовой МОП-транзистор с суперпереходом DJF380N65T TO-220F DJF380N65T ТО-220Ф 650В 10,6А Спецификация устройства DJF380N65T, версия 1.0.pdf
80А 1200В Диод быстрого восстановления MUR80120 TO-247-2L MUR80120 ТО-247-2Л 1200В 80А 英文版MUR80120技术规格书.pdf
Полумостовой IGBT-модуль 75 А, 1200 В DGA75H120M2T, 34 мм ДГА75Х120М2Т 34 мм 1200В 75А ДГА75Х120М2Т.pdf
-140A -60V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DTG050P06LA TO-220C ДТГ050П06ЛА ТО-220С -60В -140А Устройство+DTG050P06LA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
80А 200В Диод быстрого восстановления MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA ТО-3ПН 200В 80А 英文版MUR80FU20NCA技术规格书.pdf
180 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSE026N10NA TO-263 ДСЕ026Н10НА ТО-263 100В 180А Устройство+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 180 А, 60 В DHS015N06E TO-263 DHS015N06E ТО-263 60В 180А Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+техническое описание+ред.1.0.pdf
150А 1200В Полумостовой модуль IGBT-модуль DGA150H120M2T 34 мм ДГА150Х120Л2Т 34 мм 1200В 150А ДГА150Х120Л2Т.pdf
40А 1200В Trenchstop биполярный транзистор G40N120D TO-247 с изолированными воротами Г40Н120Д ТО-247 1200В 40А G40N120D - даташит.pdf
12 А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F12N65 Ф12Н65 ТО-220Ф 650В 12А 英文版F12N65技术规格书REV1.0.pdf
150А 1200В Полумостовой модуль IGBT-модуль DGA150H120M2T 34 мм ДГА150Х120М2Т 34 мм 1200В 150А ДГА150Х120М2Т(1).pdf
биполярный транзистор ДГД06Ф65М2 ТО-252Б ворот 6А 650В изолированный Тренчстоп ДГД06Ф65М2 ТО-252Б 650В 6А DGD06F65M2__datasheet.pdf
Диод с барьером Шоттки SiC 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
Режим улучшения P-канала, силовой МОП-транзистор 30 А, 100 В DH100P30AD TO-252B ДХ100П30АД ТО-252Б 100В 30А Спецификация устройства DH100P30AD.pdf
Диод быстрого восстановления 20А 400В MUR2040CT TO-220C MUR2040CT ТО-220С 400В 20А 英文版MUR2040CT 技术规格书 (2).pdf.
96 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH030N03P DFN5X6 ДХ030Н03П ДФН5x6-8L 30 В 96А Спецификация устройства DH030N03P.pdf
130 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSP038N08NA DFN5X6 ДСП038Н08НА DFN5X6 85В 130А Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
60А 300В Диод быстрого восстановления MUR60G30NCT TO-3PN МУР60Г30НКТ ТО-3ПН 300В 60А 英文版 MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
60 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH0159 TO-220C ДХ0159 ТО-220С 100В 59А Спецификация устройства DH0159B76(1).pdf
8А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F8N65 TO-220F Ф8Н65 ТО-220Ф 650В 8А F8N65技术规格书.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторское право © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com