Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
N-канальный силовой МОП-транзистор SIC, 36 А, 1200 В DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 ТО-247 1700В 37А Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
238А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH026N06E TO-263 ДХ026N06E ТО-263 60В 238А Спецификация устройства DH026N06.pdf
80 А, 68 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор DH072N07E TO-263 DH072N07E ТО-263 68В 80А Спецификация устройства DH072N07.pdf
Диод с барьером Шоттки 30А 100В TO-220F MBRF30100CT МБРФ30100CT ТО-220Ф 100 В 30А 英文版MBRF30100CT 技术规格书REV1.1.pdf
80А, 68В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH072N07D TO-252B DH072N07D ТО-252Б 68В 80А Спецификация устройства DH072N07.pdf
100 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH033N03D TO-252B DH033N03D ТО-252Б 30 В 100А Спецификация устройства DH033N03(1).pdf
Ф20Н50/20Н50Б
110 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS055N85E TO-263 ДХС055Н85Е ТО-263 85В 110А Спецификация устройства DHS055N85.pdf
180 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS035N10 TO-220 ДХС035Н10 ТО-220С 100 В 180А Устройство+DHS035N10&DHS035N10E+Спецификация+Ред.1.0 (1).pdf
Полумостовой модуль 160 А, 650 В IGBTModule DGA160H65M2T 34 мм ДГА160Х65М2Т 34 мм 650В 160А ДГА160Х65М2Т.pdf
Пакет эпитаксиального кремниевого транзистора МДЖД127 ТО-252 НПН MJD127 ТО-252 -100В -5А 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
1200 В/16 МОм/110 А SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 ТО-247 1200В 110А Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
116 А, 68 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор ДХ070Н07 ТО-220С 70В 100А Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
Полумостовой модуль 40 А, 1200 В IGBTModule DGA40H120M2T 34 мм ДГА40Х120М2Т 34 мм 1200В 40А DGA40H120M2T-REV1.0.pdf
8Н65/Ф8Н65
60А, 68В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHD50N06 TO-252B ДХД50Н06 ТО-252Б 68В 60А Спецификация устройства 50Н06Б34.pdf
ДГА75Х65М2Т
740/F740/I740/E740/B740/D740
112 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS043N85P DFN5X6 ДХС043Н85П ДФН5*6 85В 112А Спецификация устройства DHS043N85P-Rev.1.0.pdf
108 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS042N85P DFN5*6-8 ДХС042Н85П ДФН5*6-8 85В 108А Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторское право © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com