Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Товары
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

Все продукты

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
12 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH850N10D TO-252B ДХ850Н10Д ТО-252Б 100В 12А Спецификация устройства DH850N10D (1).pdf
0,8 А, 600 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор B1N60 TO-251 Б1Н60 ТО-251Б 600В 0,8А
140 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHP035N04 DFN5X6-8L ДХП035N04 ДФН5x6-8L 40В 140А Спецификация устройства DHP035N04.pdf
Полумостовой IPM 500 В/5 А DPQA05HB50MF SOP-11 ДПQA05HB50MF СОП-11 500В 5А Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
100 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH85N08 TO-220C ДХ85Н08 ТО-220С 85В 100А Спецификация устройства DH85N08.pdf
Полумостовой модуль 450 А, 1200 В IGBTModule DGB450H120L2T 62 мм ДГБ450Х120Л2Т 62 мм 1200В 450А DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
25 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор 25N10 TO-220C ДХ025Н03 ТО-220С 30В 150А Спецификация устройства DH025N03.pdf
120 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH025N03P DFN5*6 ДХ025Н03П DFN5X6 30В 120А Спецификация устройства DH025N03P(1)(1).pdf
60 А, 68 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH105N07P DFN5*6-8 ДХ105Н07П ДФН5*6-8 70В 56А Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
49 А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор ДХ116Н08Д ТО-252Б 80В 49А Спецификация устройства DH116N08.pdf
Серия триаков 600 В/800 В 4 А BT134-600E TO-126 БТ134-600Э ТО-126 600 В/800 В 4А 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHDZ24 TO-252B ДХДЗ24 ТО-252Б 60В 30А Спецификация устройства DHZ24B31.pdf
10 А, 400 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор F740 TO-220F Ф740 ТО-220Ф 400В 10А Спецификация устройства 740.pdf
Диод с барьером Шоттки, 20 А, 100 В MBR20100CT TO-252 МБР20100CT ТО-252 100В 20А 英文版MBR20100CT 技术规格书.pdf
320 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH012N03D TO-252B ДХ012Н03Д ТО-252Б 30В 320А Спецификация устройства DH012N03.pdf
N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор 180 А, 40 В DHS020N04D TO-252B DHS020N04D ТО-252Б 40В 180А Спецификация устройства DHS020N04D.pdf
320 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH012N03 TO-220C ДХ012N03 ТО-220С 30В 320А Спецификация устройства DH012N03.pdf
-30A -60V Режим улучшения P-канала Power MOSFET DH300P06D TO-252B ДХ300П06Д ТО-252Б -60В -30А Спецификация устройства DH300P06.pdf
35А, 120 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSD270N12N3 TO-252B ДСД270Н12Н3 ТО-252Б 120 В 35А Устройство+DSD270N12N3+Спецификация+Ред.1.0.pdf
175 А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS035N88E TO-263 ДХС035Н88Е ТО-263 80В 175А Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com