Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte
Modell:
Paket:
V:
A:
AUSGEWÄHLTE PRODUKTLINIEN:

Alle Produkte

Bild Modell Paket V A Datenblatt Details Anfrage In den Warenkorb legen
10,6 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DJF380N65T TO-220F DJF380N65T TO-220F 650V 10,6A Geräte-DJF380N65T-Spezifikation Rev.1.0.pdf
80A 1200V Fast-Recovery-Diode MUR80120 TO-247-2L MUR80120 TO-247-2L 1200V 80A 英文版MUR80120技术规格书.pdf
75A 1200V Halbbrücken-IGBT-Modul DGA75H120M2T 34mm DGA75H120M2T 34mm 1200V 75A DGA75H120M2T.pdf
-140A -60V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DTG050P06LA TO-220C DTG050P06LA TO-220C -60V -140A Gerät+DTG050P06LA+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
80A 200V Fast-Recovery-Diode MUR80FU20NCA TO-3PN MUR80FU20NCA TO-3PN 200V 80A 英文版MUR80FU20NCA术规格书.pdf
180 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSE026N10NA TO-263 DSE026N10NA TO-263 100V 180A Gerät+DSE026N10NA&DSG028N10NA+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 60 V DHS015N06E TO-263 DHS015N06E TO-263 60V 180A Donghai+DHS015N06&DHS015N06E+Datenblatt+Rev.1.0.pdf
150A 1200V Halbbrückenmodul IGBT-Modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120L2T 34mm 1200V 150A DGA150H120L2T.pdf
40 A 1200 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate G40N120D TO-247 G40N120D TO-247 1200V 40A G40N120D - Datenblatt.pdf
12A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F12N65 F12N65 TO-220F 650V 12A 英文版F12N65术规格书REV1.0.pdf
150A 1200V Halbbrückenmodul IGBT-Modul DGA150H120M2T 34mm DGA150H120M2T 34mm 1200V 150A DGA150H120M2T(1).pdf
6A 650V Trenchstop Bipolartransistor mit isoliertem Gate DGD06F65M2 TO-252B DGD06F65M2 TO-252B 650V 6A DGD06F65M2__Datenblatt.pdf
 SiC-Schottky-Barrierediode 5A 1200V DCGT05D120G3 DCGT05D120G3
P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 30 A 100 V DH100P30AD TO-252B DH100P30AD TO-252B 100V 30A Gerätespezifikation DH100P30AD.pdf
 Schnelle Freilaufdiode 20A 400V MUR2040CT TO-220C MUR2040CT TO-220C 400V 20A 文版MUR2040CT技术规格书 (2).pdf
96 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH030N03P DFN5X6 DH030N03P DFN5x6-8L 30V 96A Gerätespezifikation DH030N03P.pdf
130 A 85 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSP038N08NA DFN5X6 DSP038N08NA DFN5X6 85V 130A Donghai_DSP038N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
60A 300V Fast-Recovery-Diode MUR60G30NCT TO-3PN MUR60G30NCT TO-3PN 300V 60A Download MUR60G30NCT 技术规格书REV.1.0.pdf
60 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH0159 TO-220C DH0159 TO-220C 100V 59A Gerätespezifikation DH0159B76(1).pdf
8A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F8N65 TO-220F F8N65 TO-220F 650V 8A F8N65技术规格书.pdf

Produktvideo

  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten