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80 A 68 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Gerätespezifikation DH072N07.pdf
100A 1200V Halbbrücken-IGBT-Modul DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
50 A 200 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Spezifikation des Geräts F50N20(1).pdf
80 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Gerätespezifikation DHS065N10P (1).pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4A 英文版D4N70术规格书.pdf
4A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Gerätespezifikation DCD04D65G4.pdf
20A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
65 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50术规格书.pdf
80 A 80 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80V 80A Gerät DH80N08 B22 Specification.pdf
120A100V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET D120N10 TO-220C 100V 120A Geräte-D120N10ZR-Spezifikation.pdf
10A 600V Fast-Recovery-Diode MRF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600V 10A Weitere Informationen finden Sie unter MRF1060CT.pdf
300 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSU021N10NA TOLL-PAKET DSU021N10NA MAUT 100V 300A Gerät+DSU021N10NA+Spezifikation+Rev.1.0.pdf
30A 200V Fast-Recovery-Diode MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200V 30A 英文版MUR3020DCT术规格书REV1.0.pdf
54 A 30 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Gerätespezifikation DH060N03R.pdf
120 A 70 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datenblatt+V3.0 (1).pdf
40 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Gerätespezifikation DCCT40D120G4.pdf
4,8 A 650 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
15 A 1200 V SiC-Schottky-Barrierediode DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Gerätespezifikation DCGT15D120G4.pdf

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