未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
80A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Specifikace zařízení DH072N07.pdf
100A 1200V Polomůstek IGBT modul DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
50A 200V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F50N20 F50N20 TO-220F 200V 50A Specifikace zařízení F50N20(1).pdf
80A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Specifikace zařízení DHS065N10P(1).pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
4A 650V SiC Schottkyho bariérová dioda DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Specifikace zařízení DCD04D65G4.pdf
20A 650V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET F20N65 TO-220F F20N65
Výkonový MOSFET 65A 100V N-channel Mode Enhancement DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
18A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F18N50 TO-220F F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
80A 80V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80V 80A Zařízení DH80N08 B22 Specifikace.pdf
Výkonový MOSFET 120A100V N-channel Enhancement Mode D120N10 TO-220C 100V 120A Specifikace zařízení D120N10ZR.pdf
10A 600V Dioda rychlého obnovení MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
300A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DSU021N10NA TOLL BALÍČEK DSU021N10NA MÝTNÉ 100V 300A Zařízení+DSU021N10NA+Specifikace+Rev.1.0.pdf
30A 200V Dioda rychlého obnovení MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
54A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Specifikace zařízení DH060N03R.pdf
120A 70V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Datový list+V3.0 (1).pdf
40A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200V 40A Specifikace zařízení DCCT40D120G4.pdf
4,8A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
2A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET B2N65 B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
15A 1200V SiC Schottkyho bariérová dioda DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Specifikace zařízení DCGT15D120G4.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com