未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
105A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
310A 20V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Specifikace zařízení DH009N02.pdf
60A 300V Dioda rychlé obnovy MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA TO-3PN 300V 60A 英文版 MUR6030NCA 技术规格书.pdf
60A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Specifikace zařízení DH081N03.pdf
4A 650V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET D4N65 TO-252B D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
600A 650V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGD600H65M2T EconoDUAL3 BALENÍ DGD600H65M2T EconoDUAL3 650V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
30A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Specifikace zařízení DH081N03R.pdf
41A 650V N-channel SIC Power MOSFET DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Specifikace zařízení 50N06B34.pdf
40A 150V SchottkyBarrierDiode MBR40150CT TO-263 MBR40150CT TO-263 150V 40A 英文版MBR40150CT技术规格书.pdf
400A 650V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGD400H65M2T EconoDUAL3 BALENÍ DGD400H65M2T EconoDUAL3 650V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGD450H120L2T EconoDUAL3 BALENÍ DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
10A 400V Rychlá obnovovací dioda MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500V 8A
180A 85V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Zařízení+DSD040N08N3A+Specifikace+Rev.1.0.pdf
18A 500V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Half-Bridge IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
2A 600V N-channe Enhancement Mode Power MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600V 2A
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100V 120A Specifikace zařízení DH10H035R.pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com