300A 100V N-CANNEL REŽIMEM REŽIM MOSFET
1 Popis
Tento režim vylepšení N-kanálu Power MOSFET využívá pokročilé technologii Split Gate Trench, která poskytuje zároveň vynikající náboj RDSON a nízké brány. Který v souladu se standardem ROHS.
2 funkce
● nízký odpor
● Nízký náboj brány
● Rychlé přepínání
● nízký reverzní přenos kapacity
● 100% test na lavinu s jedním pulsem
● Test 100% ΔVDS
● AEC-Q101 Kvalifikovaný
3 aplikace
● Synchronní náprava v SMPS
● Řízení a pohon motoru
● Správa baterií
● UPS ● Power Tools
VDSS |
RDS (on) (typ) |
Id |
100v |
1,6 mΩ |
300a |