Доступность: | |
---|---|
Количество: | |
DSU021N10NA
WXDH
DSU021N10NA
ПОТЕРИ
100 В
300а
300A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET MOSFET
1 Описание
В этом мощном MOSFET в режиме N-канала используется расширенная технология траншеи сплит-затвора, которая обеспечивает отличную заряду RDSON и Low Gate одновременно. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
● AEC-Q101 квалифицирован
3 приложения
● Синхронное исправление в SMPS
● управление двигателем и привод
● Управление аккумуляторами
● UPS ● Электроинструменты
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
100 В | 1,6 МОм | 300а |
300A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET MOSFET
1 Описание
В этом мощном MOSFET в режиме N-канала используется расширенная технология траншеи сплит-затвора, которая обеспечивает отличную заряду RDSON и Low Gate одновременно. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Быстрое переключение
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
● AEC-Q101 квалифицирован
3 приложения
● Синхронное исправление в SMPS
● управление двигателем и привод
● Управление аккумуляторами
● UPS ● Электроинструменты
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
100 В | 1,6 МОм | 300а |