MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 300 A 100 V PACCHETTO PEDAGGIO DSU021N10NA

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 300 A 100 V

1 Descrizione 

Questo MOSFET di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizza la tecnologia avanzata Split Gate Trench, che fornisce un eccellente Rdson e una bassa carica di gate allo stesso tempo. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche

● Bassa resistenza

● Carica di gate bassa 

● Commutazione rapida 

● Basse capacità di trasferimento inverso

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

● Qualificato AEC-Q101 

3 applicazioni

● Rettifica sincrona in SMPS 

● Controllo e azionamento del motore 

● Gestione della batteria 

● UPS. ● Utensili elettrici

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
100 V	1,6 mΩ	300A