未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 12v-300 V n MOS » 300A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DSU021N10NA Toll Package

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

300A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET DSU021N10NA TOLL BACK

300A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
dostupnosť:
Množstvo:
Pýtať sa Pridať do koša

300A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET

1 popis 


Tento n-kanálový vylepšovací režim Power MOSFET využíva pokročilú technológiu Trench Split Gate, ktorá poskytuje vynikajúci poplatok RDSON a Low Gate súčasne. Čo je v súlade so štandardom ROHS. 


2 funkcie

● Nízky odpor

● Nízka brána 

● Rýchle prepínanie 

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu

● 100% Energia Energy Energy Energy Test 

● Test 100% ΔVDS 

● AEC-Q101 kvalifikovaný 


3 aplikácie

● Synchrónna rektifikácia v SMP 

● Ovládanie a riadenie motora 

● Správa batérií 

● UPS ● Elektrické náradie


VDSS RDS (on) (typ) Id
100 V 1,6 mΩ 300a


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
300A 100V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty
    Odovzdať
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology By Leadong.com