300A 100V MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N
1 descripción
Este modo de mejora del canal N, MOSFET, MOSFET utiliza la tecnología avanzada de zanja de puerta dividida, que proporciona una excelente carga de RDSON y baja puerta al mismo tiempo. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● Bajo en resistencia
● carga de puerta baja
● Cambio rápido
● Capacitancias de transferencia inversa bajas
● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%
● Prueba de 100% ΔVDS
● AEC-Q101 calificado
3 aplicaciones
● Rectificación sincrónica en SMPS
● Control y accionamiento del motor
● Gestión de la batería
● UPS ● Herramientas eléctricas
VDSS |
RDS (ON) (typ) |
IDENTIFICACIÓN |
100V |
1.6mΩ |
300A |