PAQUETE DE PEAJE MOSFET DSU021N10NA de potencia de modo de mejora de canal N de 300A y 100 V

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 300 A y 100 V

1 Descripción 

Este MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N utiliza la avanzada tecnología Split Gate Trench, que proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja al mismo tiempo. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

● Calificación AEC-Q101 

3 aplicaciones

● Rectificación síncrona en SMPS 

● Control y accionamiento del motor. 

● Gestión de la batería 

● UPS ● Herramientas eléctricas

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	1,6 mΩ	300A