Verfügbarkeit: | |
---|---|
Menge: | |
DSU021N10NA
Wxdh
DSU021N10NA
MAUT
100V
300a
300A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● schnelles Umschalten
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
● AEC-Q101 qualifiziert
3 Anwendungen
● Synchrone Korrektur in SMPs
● Motorsteuerung und Antrieb
● Batteriemanagement
● UPS ● Elektrowerkzeuge
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
100V | 1,6 mΩ | 300a |
300A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● Niedrig des Widerstands
● Ladung mit niedriger Gate
● schnelles Umschalten
● Niedrige Umkehrtransferkapazität
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
● AEC-Q101 qualifiziert
3 Anwendungen
● Synchrone Korrektur in SMPs
● Motorsteuerung und Antrieb
● Batteriemanagement
● UPS ● Elektrowerkzeuge
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
100V | 1,6 mΩ | 300a |