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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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300 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DSU021N10NA TOLL-PAKET

300 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
Verfügbarkeit:
Menge:

300 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 


Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

● AEC-Q101-qualifiziert 


3 Anwendungen

● Synchrongleichrichtung in SMPS 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● USV ● Elektrowerkzeuge


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
100V 1,6 mΩ 300A


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