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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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300A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET DSU021N10NA Toll-Paket

300A 100V N-Kanalverbesserungsmodus MOSFET-
Verfügbarkeit:
Menge:

300A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 


Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

● AEC-Q101 qualifiziert 


3 Anwendungen

● Synchrone Korrektur in SMPs 

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● UPS ● Elektrowerkzeuge


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 1,6 mΩ 300a


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