300A 100V N-channel lepancement mode Power MOSFET DSU021N10NA TOLL PACKET

300A 100V N-Channel MODENCE MOSFET

1 περιγραφή 

Αυτή η λειτουργία βελτίωσης N-Channel Power MOSFET χρησιμοποιεί την προηγμένη τεχνολογία Trench Split Gate, η οποία παρέχει ταυτόχρονα εξαιρετική φόρτιση RDSON και χαμηλής πύλης. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. 

2 χαρακτηριστικά

● Χαμηλή αντίσταση

● Χαμηλή φόρτιση πύλης 

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Χαμηλές ικανότητες μεταφοράς αντίστροφης μεταφοράς

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche 

● δοκιμή 100% ΔVDS 

● Εξειδίκευση AEC-Q101 

3 αιτήσεις

● Σύγχρονη διόρθωση σε SMPS 

● Έλεγχος και οδήγηση κινητήρα 

● Διαχείριση μπαταριών 

● UPS ● Λειτουργικά εργαλεία

VDSS	RDS (ON) (τύπος)	ταυτότητα
100V	1.6mΩ	300α