שַׁעַר
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
אתה נמצא כאן: בַּיִת » מוצרים » MOSFET » 12V-300V N MOS » 300A 100V N-channel מצב שיפור כוח MOSFET DSU021N10NA חבילת אגרה

טְעִינָה

שתף ל:
כפתור שיתוף בפייסבוק
כפתור שיתוף בטוויטר
כפתור שיתוף קו
כפתור שיתוף wechat
כפתור שיתוף linkedin
כפתור השיתוף של פינטרסט
כפתור שיתוף בוואטסאפ
שתף את כפתור השיתוף הזה

300A 100V מצב שיפור N-channel Power MOSFET DSU021N10NA חבילת אגרה

300A 100V מצב שיפור N-channel Power MOSFET
זמינות:
כמות:

300A 100V מצב שיפור N-channel Power MOSFET

1 תיאור 


MOSFET במצב שיפור N-channel זה משתמש בטכנולוגיית Split Gate Trench מתקדמת, המספקת Rdson מעולה וטעינת שער נמוכה בו זמנית. מה שמתאים לתקן RoHS. 


2 תכונות

● התנגדות נמוכה

● טעינת שער נמוכה 

● מעבר מהיר 

● קיבולי העברה הפוכה נמוכים

● 100% בדיקת אנרגיית מפולת חד פעמית 

● 100% בדיקת ΔVDS 

● AEC-Q101 מוסמך 


3 יישומים

● תיקון סינכרוני ב-SMPS 

● בקרת מנוע והנעה 

● ניהול סוללות 

● UPS ● כלי עבודה חשמליים


VDSS RDS(on)(TYP) תְעוּדַת זֶהוּת
100V 1.6mΩ 300A


קוֹדֵם: 
הַבָּא: 
  • הירשם לניוזלטר שלנו
  • התכונן לעתיד
    הירשם לניוזלטר שלנו כדי לקבל עדכונים ישירות לתיבת הדואר הנכנס שלך