300A 100V N-kanaal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beschrijving
Deze N-kanaals vermogens-MOSFET maakt gebruik van geavanceerde Split Gate Trench-technologie, die tegelijkertijd uitstekende Rdson en lage Gate-lading biedt. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm.
2 Kenmerken
● Weinig weerstand
● Lage poortlading
● Snel schakelen
● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten
● 100% lawine-energietest met enkele puls
● 100% AVDS-test
● AEC-Q101 gekwalificeerd
3 toepassingen
● Synchrone rectificatie in SMPS
● Motorbesturing en aandrijving
● Batterijbeheer
● UPS ● Elektrisch gereedschap
| VDSS |
RDS(aan)(TYP) |
Identiteitskaart |
| 100V |
1,6 mΩ |
300A |