300A 100V Mod de îmbunătățire a canalelor N MOSFET
1 Descriere
Această putere de îmbunătățire a canalelor N MOSFET utilizează tehnologia avansată de tranșeu de poartă împărțită, care oferă în același timp o încărcare excelentă RDSON și GATE scăzută. Care este în conformitate cu standardul ROHS.
2 caracteristici
● Rezistență scăzută
● Încărcare scăzută a porții
● comutare rapidă
● Capacități de transfer invers scăzut
● Test de energie 100% cu un singur impuls de avalanșă
● Test 100% ΔVDS
● AEC-Q101 calificat
3 aplicații
● Rectificare sincronă în SMPS
● Controlul și conducerea motorului
● Gestionarea bateriei
● UPS ● Instrumente electrice
VDSS |
RDS (ON) (TIP) |
Id |
100V |
1,6mΩ |
300a |