300A 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
MOSFET MOSFET Peningkatan N-Channel ini menggunakan teknologi parit gerbang yang maju, yang menyediakan caj RDSON dan gerbang rendah yang sangat baik pada masa yang sama. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Rendah terhadap rintangan
● Caj pintu rendah rendah
● Pertukaran cepat
● Kapasit pemindahan terbalik yang rendah
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
● AEC-Q101 Berkelayakan
3 aplikasi
● Pembetulan segerak dalam SMP
● Kawalan dan pemacu motor
● Pengurusan bateri
● UPS ● Alat kuasa
VDSS |
Rds (on) (typ) |
Id |
100V |
1.6mΩ |
300a |