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Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCC20D65G4.pdf
MOSFET di potenza DH640 TO-220C in modalità potenziamento canale N da 18 A 200 V DH640 TO-220C 200 V 18A Specifiche del dispositivo 640.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 A 1200 V DCC075M120G2C TO-247-3 DCC075M120G2C TO-247 1200 V 40A Specifiche del dispositivo DCC075M120G2C.pdf
DSE058N15NA TO-263 DSE058N15NA TO-263 150 V 150A Donghai+DSE058N15NA+Scheda dati+V2.0.pdf
F6N90 TO-220F F6N90 TO-220F 900 V 6A 英文版F6N90技术规格书.pdf
MBRF40R60CT TO-220F MBRF40R60CT
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 250 A 40 V DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Dispositivo DH019N04 Specifiche.pdf
D7N60TO-252B D7N60 TO-252B 600 V 7A 英文版D7N60技术规格书.pdf
DHS052N10PDFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100 V 99A Specifiche del dispositivo DHS052N10P.pdf
MURF1660CT TO-220F MURF1660CT TO-220F 600 V 16A 英文版MURF1660CT 技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 12 A 100 V B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
Diodo a recupero rapido 30A 400V MUR3040NCS TO-3PN MUR3040NCS TO-3PN 400 V 30A 英文版MUR3040NCS技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 200 A 40 V D1404/FD1404/ED1404
40 V/4,0 mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40 V 66A Donghai_DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
PACCHETTO N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 da 40 V/0,85 mΩ/200 A DSE012N04NA TO-263 40 V 200A Donghai_DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR6030BCA TO-247S MUR6030BCA TO-247S 300 V 60A 英文版 MUR6030BCA 技术规格书REV1.1.pdf
PACCHETTO PEDAGGIO MOSFET di potenza DHS044N12U in modalità potenziamento canale N da 270 A 120 V DHS044N12U PEDAGGIO 120 V 270A Donghai_DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100 V 103A Donghai_DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET N 100 V/2,2 mΩ/180 A DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf

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