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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 68 V DH072N07 TO-220C DH072N07 TO-220C 68V 80A Dispositivo DH072N07 Specifiche.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34 mm 1200 V 100A DGA100H120M2T.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 50 A 200 V F50N20 F50N20 TO-220F 200 V 50A Specifiche del dispositivo F50N20(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 100 V DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100 V 80A Specifiche del dispositivo DHS065N10P(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700 V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
Diodo a barriera Schottky SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650 V 4A Specifiche del dispositivo DCD04D65G4.pdf
MOSFET di potenza F20N65 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 20 A 650 V F20N65
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 65 A 100 V DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
MOSFET di potenza F18N50 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 18 A 500 V F18N50 TO-220F 500 V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 80 V DH80N08 TO-220C DH80N08 TO-220C 80 V 80A Dispositivo DH80N08 B22 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 120A100V D120N10 TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo D120N10ZR.pdf
Diodo a recupero rapido 10A 600V MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600 V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
PACCHETTO PEDAGGIO MOSFET di potenza DSU021N10NA in modalità potenziamento canale N da 300 A 100 V DSU021N10NA PEDAGGIO 100 V 300A Dispositivo+DSU021N10NA+Specifiche+Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 30A 200V MUR3020DCT MUR3020DCT TO-3PN 200 V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N 54A 30V DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30 V 54A Dispositivo DH060N03R Specifiche.pdf
MOSFET di potenza DHS130N06D TO-252B in modalità potenziamento canale N da 120 A 70 V DHS130N06D TO-252B 70 V 120A Donghai+DHS130N06B&DHS130N06D+Scheda dati+V3.0 (1).pdf
Diodo barriera Schottky SiC 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 TO-247-2 1200 V 40A Specifiche del dispositivo DCCT40D120G4.pdf
MOSFET di potenza a giunzione eccellente a canale N da 4,8 A 650 V DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650 V 4,8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 2 A 650 V B2N65 B2N65 TO-251B 650 V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 15A 1200V DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200 V 15A Specifiche del dispositivo DCGT15D120G4.pdf

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