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MOSFET di potenza DHS055N07E TO-263 in modalità potenziamento canale N da 105 A 68 V DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Scheda dati+V2.0 .pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 310 A 20 V DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20 V 310A Dispositivo DH009N02 Specifiche.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 300V MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA TO-3PN 300 V 60A 英文版 MUR6030NCA 技术规格书.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 60 A 30 V DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30 V 60A Dispositivo DH081N03 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza D4N65 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 4 A 650 V D4N65 TO-252B 650 V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
Modulo half bridge 600A 650V Modulo IGBT DGD600H65M2T CONFEZIONE EconoDUAL3 DGD600H65M2T EconoDUAL3 650 V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 30 A 30 V DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30 V 30A Specifiche del dispositivo DH081N03R.pdf
MOSFET di potenza SIC a canale N 41A 650V DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650 V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza DHF50N06 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 60 A 68 V DHF50N06 TO-220F 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Specifiche.pdf
Diodo barriera Schottky 40A 150V MBR40150CT TO-263 MBR40150CT TO-263 150 V 40A 英文版MBR40150CT技术规格书.pdf
Modulo half bridge 400A 650V Modulo IGBT DGD400H65M2T CONFEZIONE EconoDUAL3 DGD400H65M2T EconoDUAL3 650 V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
Modulo half bridge 450A 1200V Modulo IGBT DGD450H120L2T PACCHETTO EconoDUAL3 DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200 V 450canale P da 15 A 40 V, Cina produttore MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 15 A 40 V, fornitore MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 15 A 40 V, grossista MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 15 A 40 V grossista, fabbrica MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale P da 15 A 40 V DGD450H120L2TREV1.1.pdf
Diodo a recupero rapido 10A 400V MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400 V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
MOSFET di potenza B8N50 TO-251 in modalità potenziamento canale N da 8 A 500 V B8N50 TO-251 500 V 8A
MOSFET di potenza DSD040N08N3A TO-252B in modalità potenziamento canale N da 180 A 85 V DSD040N08N3A TO-252B 85 V 180A Dispositivo+DSD040N08N3A+Specifiche+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 18 A 500 V 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500 V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFoduttore e fornitore di MOSFET - WXDH | Pagina 3 ESOP-9 500 V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
IPM a mezzo ponte 500 V/3 A DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500 V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza F2N60 TO-220F in modalità potenziamento canale N da 2 A 600 V F2N60 TO-220F 600 V 2A
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100 V 120A Specifiche del dispositivo DH10H035R.pdf

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