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100 V/8 mΩ/68 A N-MOSFET DSD090N10L3A TO-252B DSD090N10L3A TO-252B 100 V 68A DSD090N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 20A 650V DCC20D65G4 TO-247-3 DCC20D65G4 TO-247 650 V 20A Specifiche del dispositivo DCC20D65G4.pdf
Transistor bipolare a cancello isolato Trenchstop 20A 650V DGC20F65M2 TO-247-3L DGC20F65M2 TO-247 650 V 20A scheda tecnica.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 40 V DTG045N04NA TO-220C DTG045N04NA TO-220C 40 V 120A Dispositivo+DTG045N04NA&DTE043N04NA+Specifiche+Rev.1.0.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 600V MUR6060BCT MUR6060BCT TO-247 MUR6060BCT TO-247 600 V 60A 英文版MUR6060BCT技术规格书REV1.1.pdf
MOSFET di potenza SiC a canale N da 40 mΩ 650 V DCC040M65G2 TO-247 DCC040M65G2 TO-247 650 V 52A DCC040M65G2&DCCF040M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
Diodo barriera Schottky SiC 8A 650V DCE08D65G4 TO-263 DCE08D65G4 TO-263 650 V 8A Specifiche del dispositivo DCE08D65G4.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 250 A 40 V DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40 V 250A Dispositivo DH019N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità di miglioramento a canale N 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
MOSFET N DTD080N07N TO-252B da 68 V/7,2 mΩ/80 A DTD080N07N TO-252B 68V 80A DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
CI regolatore di tensione a tre terminali L7810 TO-220M L7810 TO-220M 10 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
MOSFET N 40 V/4,5 mΩ/40 A DSR070N04LA DSR070N04LA
Diodo a recupero rapido 30A 400V MUR3040NCS TO-3PN MUR3040NCS TO-3PN 400 V 30A 英文版MUR3040NCS技术规格书.pdf
Diodo a recupero rapido 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200 V 60A Il modello MUR6020BCA è Rev. 1.1.pdf
Diodo barriera Schottky 30A 100V MBRD30100CT TO-252B MBRD30100CT TO-252B 100 V 30A 英文版MBRD30100CT技术规格书REV1.0.pdf
Modulo IGBT mezzo ponte 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34 mm 1700 V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 90 A 40 V DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Dispositivo DH045N04 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 145 A 30 V DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30 V 145A Dispositivo DH028N03 Specifiche.pdf
MOSFET di potenza a super giunzione a canale N da 4,8 A 650 V DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8 A DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
CI regolatore di tensione a tre terminali L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15 V 8 mA 英文版L78XX技术规格书.pdf

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