puerta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
Usted está aquí: Hogar » Productos
Modelo:
Paquete:
V:
A:
LÍNEAS DE PRODUCTOS SELECCIONADAS:

Todos los productos

Imagen Modelo Paquete V A Ficha técnica Detalles Consulta Añadir al carrito
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 105A 68V DHS055N07E TO-263 DHS055N07E A-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Hoja de datos+V2.0 .pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 310A 20V DH009N02 TO-220C DH009N02 A-220C 20V 310A Especificación del dispositivo DH009N02.pdf
Diodo de recuperación rápida 60A 300V MUR6030NCA TO-3PN MUR6030NCA A-3PN 300V 60A 英文版 MUR6030NCA 技术规格书.pdf
MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 60A 30V DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30V 60A Especificación del dispositivo DH081N03.pdf
MOSFET de potencia D4N65 TO-252B del modo de mejora del canal N de 4A 650V D4N65 TO-252B 650V 4A 英文版D4N65技术规格书REV1.0.pdf
Módulo de medio puente 600A 650V IGBTMódulo DGD600H65M2T PAQUETE EconoDUAL3 DGD600H65M2T EconoDUAL3 650V 600A DGD600H65M2T REV1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 30A 30V DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Especificación del dispositivo DH081N03R.pdf
MOSFET de potencia SIC de canal N de 41A 650V DCCF060M65G2 TO-247 DCCF060M65G2 TO-247-4L 650V 41A Donghai_DCC060M65G2&DCCF060M65G2_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 60A 68V DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Dispositivo 50N06B34 Especificación.pdf
Diodo de barrera Schottky 40A 150V MBR40150CT TO-263 MBR40150CT A-263 150V 40A 英文版MBR40150CT技术规格书.pdf
Módulo de medio puente 400A 650V IGBTMódulo DGD400H65M2T PAQUETE EconoDUAL3 DGD400H65M2T EconoDUAL3 650V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
Módulo de medio puente 450A 1200V IGBTMódulo DGD450H120L2T PAQUETE EconoDUAL3 DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
Diodo de recuperación rápida 10A 400V MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
MOSFET B8N50 TO-251 de potencia del modo de mejora del canal N de 8A 500V B8N50 A-251 500V 8A
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 180A 85V DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A Dispositivo+DSD040N08N3A+Especificación+Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia 18N50 TO-220C del modo de mejora del canal N de 18A 500V 18N50 A-220C 500V 18A 英文版18N50技术规格书.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A Donghai_DPQB07HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
500V/3A Medio Puente IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A Donghai_DPQB03HB50MFN_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET F2N60 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 2A 600V F2N60 TO-220F 600V 2A
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R A-220C 100V 120A Especificación del dispositivo DH10H035R.pdf

Vídeo del producto

  • Suscríbete a nuestro boletín
  • prepárese para el futuro
    suscríbase a nuestro boletín para recibir actualizaciones directamente en su bandeja de entrada