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Diodo de recuperación rápida 40A 600V MUR40FU60NCT TO-3PN MUR40FU60NCT A-3PN 600V 40A 英文版MUR40FU60NCT-XAM技术规格书.pdf
MOSFET de potencia D4N80 TO-252B del modo de mejora del canal N de 4A 800V D4N80 TO-252B 800V 4A 英文版D4N80技术规格书.pdf
MOSFET de potencia 20N65 TO-220C del modo de mejora del canal N de 20A 650V 20N65 TO-220C 650V 20A 英文版20N65技术规格书AA9.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N 180A 100V DSG028N10NA TO-220C DSG028N10NA TO-220C 100V 180A Dispositivo+DSE026N10NA y DSG028N10NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
MOSFET de potencia F16N65 del modo de mejora del canal N de 16A 650V F16N65 TO-220F 650V 16A 英文版F16N65技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky 60A 60V MBR6060CT TO-3PN MBR6060CT A-3PN 60V 60A 英文版MBR6060CT(3P,3PN,247)技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 90A 30V DHD90N03 TO-252B DHD90N03 TO-252B 30V 90A Dispositivo DH90N03 B17 Especificación.pdf
Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 80A 60V D80N06 TO-252B 60V 80A Especificación del dispositivo 80N06.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 110 A y 100 V D100N10/D100N10F/D100N10E/D100N10B/D100N10D
MOSFET B4N65 TO-251B de potencia del modo de mejora del canal N de 4A 650V B4N65 TO-251B 650V 4A 英文版B4N65X技术规格书X(1).pdf
Diodo de recuperación rápida 30A 600V MURF3060 TO-220-2L MURF3060
Diodo de recuperación rápida 40A 600V MUR4060BCT TO-247 MUR4060BCT
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 65A 30V DH033N03R DFN3X3 DH033N03R DFN3X3 30V 65A Especificación del dispositivo DH033N03R.pdf
10N80/F10N80/E10N80
Diodo de barrera Schottky de 20A, 60V, VF bajo, HMBRD20R60 TO-252B HMBRD20R60 TO-252B 60V 20A 英文版HMBRD20R60技术规格书TO-252B-REV-1.1.pdf
DHU3N90/DHD3N90
MOSFET F8N50 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 8A 500V F8N50 TO-220F 500V 8A F8N50_Hoja de datos_V1.0.pdf
2N60/F2N60/I2N60/ E2N60/B2N60/D2N60
Diodo de barrera Schottky 30A 100V TO-220M MBR30100CT A-220M 100V 30A 英文版MBR30100CT技术规格书REV1.0.pdf
13N90

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