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MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 80A 68V DH072N07 TO-220C DH072N07 A-220C 68V 80A Especificación del dispositivo DH072N07.pdf
Módulo IGBT de medio puente 100A 1200V DGA100H120M2T 34mm DGA100H120M2T 34mm 1200V 100A DGA100H120M2T.pdf
MOSFET de potencia F50N20 del modo de mejora del canal N de 50A 200V F50N20 TO-220F 200V 50A Especificación del dispositivo F50N20(1).pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 100V DHS065N10P DFN5X6 DHS065N10P DFN5X6 100V 80A Especificación del dispositivo DHS065N10P(1).pdf
Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 4A 700V D4N70 TO-252B D4N70 TO-252B 700V 4A 英文版D4N70技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC 4A 650V DCD04D65G4 TO-252B 650V 4A Especificación del dispositivo DCD04D65G4.pdf
MOSFET de potencia F20N65 TO-220F del modo de mejora del canal N de 20A 650V F20N65
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 65 A y 100 V DHS130N10/DHS130N10F/DHS130N10E/DHS130N10B/DHS130N10D
MOSFET F18N50 TO-220F del poder del modo del aumento del canal N de 18A 500V F18N50 TO-220F 500V 18A 英文版F18N50技术规格书.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 80A 80V DH80N08 TO-220C DH80N08 A-220C 80V 80A Especificación del dispositivo DH80N08 B22.pdf
MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N 120A100V D120N10 A-220C 100V 120A Especificación del dispositivo D120N10ZR.pdf
Diodo de recuperación rápida 10A 600V MURF1060 TO-220-2L MURF1060 TO-220F-2L 600V 10A 英文版MURF1060CT技术规格书.pdf
PAQUETE DE PEAJE MOSFET DSU021N10NA de potencia de modo de mejora de canal N de 300A y 100 V DSU021N10NA PEAJE 100V 300A Dispositivo+DSU021N10NA+Especificación+Rev.1.0.pdf
Diodo de recuperación rápida 30A 200V MUR3020DCT MUR3020DCT A-3PN 200V 30A 英文版MUR3020DCT技术规格书REV1.0.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 54A 30V DH060N03R DFN3×3-8L DH060N03R DFN3X3 30V 54A Especificación del dispositivo DH060N03R.pdf
MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 120A 70V DHS130N06D TO-252B DHS130N06D TO-252B 70V 120A Donghai+DHS130N06B y DHS130N06D+Hoja de datos+V3.0 (1).pdf
Diodo de barrera Schottky de SiC de 40A 1200V DCCT40D120G4 TO-247-2 DCCT40D120G4 A-247-2 1200V 40A Especificación del dispositivo DCCT40D120G4.pdf
MOSFET de potencia de unión estupenda del canal N de 4.8A 650V DHDSJ5N65 TO-252B DHDSJ5N65 TO-252B 650V 4.8A Donghai_DHDSJ5N65&DHBSJ5N65_Datesheet_V1.0(2).pdf
MOSFET B2N65 de potencia del modo de mejora del canal N de 2A 650 V B2N65 TO-251B 650V 2A 英文版B2N65技术规格书.pdf
Diodo de barrera Schottky de 15A 1200V SiC DCGT15D120G4 TO-220-2 DCGT15D120G4 TO-220C-2L 1200V 15A Especificación del dispositivo DCGT15D120G4.pdf

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