Módulo de medio puente 600A 650V IGBTMódulo DGD600H65M2T PAQUETE EconoDUAL3

Módulo de medio puente 600A 650V

1 Descripción 

Estos transistores bipolares de puerta aislada utilizaron un diseño avanzado de tecnología de trinchera y Fieldstop, proporcionaron excelente VCEsat y velocidad de conmutación, y baja carga de puerta. Lo cual cumple con el estándar RoHS.

2 características 

● Tecnología FS Trench, coeficiente de temperatura positivo 

● Voltaje de baja saturación: VCE(sat), típ. = 1,48 V @ IC = 600 A y Tj = 25 °C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

3 aplicaciones 

•  Soldadura 

•  Unión Postal Universal 

•  Inversor de tres niveles 

• Amplificador servoaccionador de CA y CC

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  Tipo	VCE	ic	VCEsat,Tj=25℃	Tjop	Paquete
  DGD600H65M2T	650V	600A (Tj=100℃)	1,48 V (típico)	175℃	EconoDUAL3