600A 650V Módulo de medio puente Igbtmodule DGD600H65M2T ECONODUAL3 PAQUETE

600A Módulo de medio puente de 650V 650V

1 descripción 

Este transistor bipolar de compuerta aislada utilizaron el diseño avanzado de tecnología de zanja y campo de campo, proporcionó una excelente VseSAT y velocidad de conmutación, baja carga de puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.

2 características 

● Tecnología de la trinchera FS, coeficiente de temperatura positiva 

● Bajo voltaje de saturación: VCE (SAT), TYP = 1.48V @ IC = 600A y TJ = 25 ° C 

● Capacidad de avalancha extremadamente mejorada

3 aplicaciones 

•  Soldadura 

•  Unión Postal Universal 

•  Inversor de tres pueblos 

• Amplificador de accionamiento de Servo AC y DC

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  Tipo	VCE	Beer	Vcesat, TJ = 25 ℃	TJOP	Paquete
  DGD600H65M2T	650V	600A (TJ = 100 ℃)	1.48V (typ)	175 ℃	Econodual3